Сумський державний университет
ЄЛІТА факультет
Кафедра прикладної фізики
Курсова робота
з дисципліни
"ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ "
Тема роботи: Загальна характеристика напівпровідніковіх матеріалів
Виконала: ст. гр. ЄП-81
Копил А.М.
Перевірів: Опанасюк Н.М.
Сумі - 2010
ЗМІСТ
Вступ
1. Класифікація напівпровідніковіх матеріалів
1.1 Германій
1.2 Кремній
1.3 Селен
1.4 Карбід кремнію
1.5 Окісні напівпровіднікі
1.6 Склоподібні напівпровіднікі
1.7 Органічні напівпровіднікі
2. ! Застосування напівпровідніковіх матеріалів та вимоги до них
3. Електрофізічні Властивості
3.1 Зонна структура напівпровідніковіх сталева
3.2 Методи виробництва кремній - германієвих сталева
3.3 Діслокації в місцях концентраційніх флуктуацій
Висновки
Література
ВСТУП
Кількість тіпів напівпровідніковіх пріладів Дуже великий и Кожний прилад перелогових від принципом Дії ї необхідніх електричних параметрів має потребу в напівпровідніковому матеріалі з ПЄВНЄВ властівостямі.
Швидке зростання виробництва й Підвищення надійності виробів Електронної техніки залежався НЕ Тільки от методів їхнього виготовлення й культури, альо ї у значній мірі від електрофізичних ї других властівостей застосовуваного матеріалів, Які в багатьох випадка візначає параметри напівпровідніковіх пріладів ї інтегральніх мікросхем и вплівають на Стабільність їхньої роботи в електричних и теплових режимах, а такоже при трівалому зберіганні.
Технологія Промислове виробництво напівпровідніковіх пріладів ї інтегральніх мікросхем - Складний багатоступінчастій процес, что вімагає! застосування на шкірному етапі Великої кількості спеціфічніх матеріалів з ПЄВНЄВ властівостямі. Так, основою для создания цілого ряду виробів Електронної техніки ставши клас матеріалів - напівпровіднікі, Які мают Властивості, необхідні для здобуття пріладів з скроню ЕЛЕКТРИЧНА характеристиками.
Напівпровідникові матеріали, Які застосовують для виготовлення різніх класів пріладів и інтегральніх схем, повінні відповідаті ряду вимог.
При розгортанні виробництва новіх Електрон пріладів на напівпровідніковій Основі віддача від інвестіцій носити кумулятивний характер: на кожному етапі Впровадження новіх технологий Неможливо без виробничої бази, створеної раніше. Тому має сенс максимально використовуват наявний устаткування, удосконалюючі его под Постійно змінні вимоги прайси. Такий підхід дозволяє без Величезне разових вкладень працювати на сучасности Рівні, его Використовують більшість СУЧАСНИХ фірм, таких як Intel, Sony, Toshiba, IBM. Одна Із СТОРІН методу - Використання матеріалів з новімі властівостямі, что дозволяють використовуват для своєї ОБРОБКИ широко пошірені, налагоджені и Такі, что окупили собі технології.
1. Класифікація НАПІВПРОВІДНІКОВІХ МАТЕРІАЛІВ
Напівпровідникові матеріали по хімічному складі можна розділіті на Прості й складні. Просто напівпровідніковімі матеріалами є Хімічні елєменти: бор В, Вуглець СО 2 , германій Ge, кремній Si, селенів So, сірка S, сурма Sb, телур Ті ї йод J. Найбільш ШИРОКЕ! Застосування як самостійні Напівпровідникові матеріали нашли Тільки три з них: германій, кремній и селенів. Інші вікорістаються як легуючі добавки до Германія ї кремнію або компонентів складаний напівпровідніковіх матеріалів.
У групу складаний напівпровідніковіх матеріалів входять Хімічні Сполука, что володіють напівпровідніковімі властівостямі ї включаються у собі два, три або больше елєменти, Наприклад арсенід галію GaAs, телуриду вісмуту Bi 2 Te 3 , сіліцід цинку й фосфору ZnSi 2 и ін. Напівпровідникові матеріали цієї групи, что складаються Із двох ЕЛЕМЕНТІВ, назіваються бінарнімі Сполука й так саме, як це Прийнято в неорганічній хімії, мают найменування того компонента, у Якого металеві Властивості віражені слабкіше. Так, бінарні Сполука, что містять миш'як, назівають арсенідамі, Сірку - сульфідамі, телур-телуриду, Вуглець - карбідамі.
Тверді розчини напівпровідніковіх матеріалів позначають символами вхідніх у них ЕЛЕМЕНТІВ з індексамі, Які візначають Атомними частко ціх ЕЛЕМЕНТІВ у розчіні [1].
До Складаний напівпровідніковіх матеріалів відносять такоже Тіріт, сіліт, ферит, аморфні скла й ін.
За Ступені Досконалість решітки ВСІ кристали можна розділіті на ідеальні ї реальні, а по сполуці - на стехіометрічні ї нестехіометрічні.
ідеальні - Це кристали, шкірних атом якіх перебуває у положенні, Які характеризують мінімумом потенційної ЕНЕРГІЇ, тоб упорядковано розташованій як Стосовно своих найближче сусідніх атомів, так и до атом...
