Зміст
Введення 4
1 Розробка плати ГІМС
1.1 Вибір матеріалів для підкладки, плівкових елементів і плівкових провідників 5
1.2 Вибір конструкції плівкових елементів і опис методики їх розрахунку 10
1.3 Розрахунок топологічних розмірів елементів 13
1.4 Вибір розміру плати та розробка топології плати 14
Висновок 19
Список використаних джерел 20
Програми
1 Додаток А. ГІМС. Схема електрична принципова. p> 2 Додаток Б. ГІМС. Топологічний креслення. p> 3 Додаток В. ГІМС. Креслення резистивного шару. <В
Введення
Завдання курсового проекту - розробка конструкції плати ГІС.
Використовуючи дані технічного завдання і принципову електричну схему, відповідно до додатком А, необхідно розробити конструкцію плати гібридної ІМС, тобто:
1.1вибрать матеріали для підкладки, плівкових елементів і плівкових провідників;
1.2 вибрати конструкцію плівкових елементів;
1.3 розрахувати топологічні розміри плівкових елементів;
1.4 вибрати розмір плати та розробити топологію плати;
1.5 розробити необхідну конструкторську документацію.
У технічному завданні дана принципова електрична схема пристрою.
Електрична схема включає в себе 13 резисторів R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 з наступними характеристиками
R = 1100:12000 Ом, Оі R = 15%, P = 10:25 мВт. Також дана схема має навісні елементи: 9 транзисторів і 1 мікросхему, що мають гнучкі дротяні виведення, виконані з золота діаметром 40 мкм. Метод складання - термокомпрессіонной зварювання. p> Тонкі плівки формують методом термовакуумного напилення за допомогою методу вільної маски.
Дана гібридна ІМС є малопотужною і має невелике швидкодію. Виходячи з цього, вибирають матеріали елементів схеми.
При виборі резистивного матеріалу слід враховувати, що О± R <= 2 * 10 -4 1/Вє С, Оі R ст <= 3%, а елементи повинні мати оптимальні розміри.
Наступним етапом є вибір конструкції елементів, які ми будемо розташовувати на платі. Обрана конструкція повинна відповідати обраним параметрам елементів. Далі виконуємо розрахунок розмірів плівкових елементів схеми, вибір розміру плати за формулою і розробку топології плати.
1.1 Вибір матеріалів для підкладки, плівкових елементів і плівкових провідників
Підложки ГІС служать підставою для розташування плівкових і навісних елементів, а також для тепловідведення. Для виготовлення підкладок ГІС застосовують матеріали, наведені в таблиці 1.1
Таблиця 1.1 Електрофізичні параметри підкладок ГІС
Параметри
Матеріали
Скло
Сіталл
СТ50-1
Плавлений
Кварц
Кераміка
C 41-1
C 48-3
22ХС
(96% Al 2 Про 3 )
Полікор
1
2
3
4
5
6
7
Клас чистоти обробки поверхні
14
14
13-14
14
12
12-14
Температурний коефіцієнт лінійного розширення ТКЛР при Т = 20 Г· 300 Вє С
(41 В± 2) ** 10 Л‰ 7
(48 В± 2) ** 10 Л‰ 7
(50 В± 2) * 10 Л‰ 7
(55 В± 2) * 10 Л‰ 7
(60 В± 2) ** 10 Л‰ 7
(70 В± 2) * 10 Л‰ 7
Коефіцієнт теплопровідності, Вт/(м * Вє С)
1
1,5
1,5
7-15
10
30-45
Діелектрична проникність при f = 10 6 Гц і Т = 20 Вє С
7,5
3,2-8
5-8,5
3,8
10,3
10,5
Тангенс кута діелектричних втрат при f = 10 6 Гц і Т = 20 Вє С
20 * 10 Л‰ 4
15 * 10 Л‰ 4
20 * 10 Л‰ 4
-
6 ...
