ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ
Конспект лекцій для студентів спеціальностей
В«Мережі зв'язку та системи комутаціїВ» і
В«Багатоканальні телекомунікаційні системиВ»
Єкатеринбург 2006
ЗМІСТ
ВСТУП
ТЕМА 1. ОСНОВИ ТЕОРІЇ ТВЕРДОГО ТІЛА
.1 Будова твердих тіл
.2 Енергетичні рівні і зони
.3 Власна провідність напівпровідників
.4 Глибокі рівні
.5 Домішкові напівпровідники
.6 Оптичні та електричні властивості напівпровідників
.7 Жідкокрістальние прилади для відображення інформації
.8 Твіст-ефект
Контрольні питання до теми 1
ТЕМА 2. ФІЗИЧНІ ЕФЕКТИ У твердих і газоподібних діелектриків
.1 Поляризація, електропровідність, діелектричні втрати, проникність
.2 Електропровідність діелектриків, діелектричні втрати, діелектрична проникність, електрична міцність, види пробою в діелектриках
.3 Сегнетодіелектрікі
.4 П'єзоелектрики
.5 Активні діелектрики
.6 Електропровідність газоподібних діелектриків
.7 Електролюмінесценція, катодолюмінесценція
Контрольні питання до теми 2
ТЕМА 3. ФІЗИЧНІ ЕФЕКТИ У провіднику
.1 Класифікація провідників
.2 напівкристалічного і аморфні метали і сплави
.3 Особливості металів в тонкоплівкових стані
.4 Надпровідні провідники. Статичний ефект Джозефсона. Застосування надпровідності
.5 Контактна різниця потенціалів, термо-ерс, ефекти
Контрольні питання до теми 3
ТЕМА 4. ФІЗИЧНІ ЕФЕКТИ У МАГНІТНИХ МАТЕРІАЛАХ
.1 Магнітна структура доменів в кристалах. Процес намагнічування. Магнітний гістерезис, магнітна анізотропія
.2 Залежність параметрів від температури. Властивості магнітних матеріалів у НВЧ полях
Контрольні питання до теми 4
ТЕМА 5. ФІЗИЧНІ ОСНОВИ ПРОЦЕСІВ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛАХ
.1 Зонна модель напівпровідників (ПП). Вироджені і невироджені ПП. Рівень Фермі в ПП. Залежність рівня Фермі від температури, ступеня концентрації домішки
.2 Поняття про електронно-діркового переходу, типи переходів, струми в pn-переході
.3 Прямо зміщений pn-перехід
.4 Вольтамперні характеристики і pn модель
.5 Ефект поля
ЛІТЕРАТУРА
ВСТУП
Значні зміни в багатьох областях науки і техніки обумовлені розвитком електроніки. Тенденція розвитку така, що частка електронних інформаційних пристроїв і пристроїв автоматики безперервно збільшується, завдяки розвитку інтегральної технології, впровадження якої дозволило налагодити масовий випуск високоякісних, дешевих, що не вимагають спеціальної настройки і налагодження мікроелектронних функціональних вузлів різного призначення. На основі ВІС і НВІС створені і випускаються мікропроцесори і мікропроцесорні комплекти, що представляють собою обчислювальну машину. p align="justify"> Розвиток електроніки характеризується кількома етапами. Раніше великий розвиток отримала аналогова апаратура. Але аналогова пристрій не могла забезпечити високу точність сигналу, швидкодія, малу залежність параметрів від метрологічних умов. В даний час застосовується цифрова система обробки сигналу, що дозволило застосовувати ЕОМ, підвищити точність обробки сигналу, універсальність використання, підвищити швидкодію і надійність. p align="justify"> Ефективне застосування ІМС неможлива без знання принципів їх дії та основних параметрів. Основу ІМС становлять елементарні схеми, фізичні процеси та особливості роботи їх можна пояснити на моделях зібраних за допомогою дискретних елементів. p align="justify"> Тому в конспекті лекцій приділяється основна увага поясненням фізичних процесів в різних дискретних елементах.
Конспект лекцій складений відповідно до вимог державного освітнього стандарту вищої професійної освіти з дисципліни В«Фізичні основи електронікиВ» для спеціальностей денної форми навчання. При складанні конспекту використовувався матеріал різноманітної технічної літератури, так як немає одного підручника, який містив би необхідну інформацію по всіх розділах навчальної програми. Це дещо полегшить працю студента і допоможе зосередити увагу на вивченні дисципліни. br/>
ТЕМА 1. ОСНОВИ ТЕОРІЇ ТВЕРДОГО ТІЛА
1.1 Будова твердих тіл
. Види зв'язків
Всі речовини - газоподібні, рідкі та тверді - складаються з атомів і молекул. Здатність атомів вступати в з'єднання з атомами інших елементі...
