Введення
В основі вакуумної іонно-плазмової технології отримання покриттів покладено принцип осадження частинок (атомів, іонів, кластерів) на поверхні виробів у вакуумі з плазми, що генерується тим чи іншим способом. При цьому об'ємні властивості оброблюваних виробів чи не порушуються, а змінюються властивості поверхні, надаючи їй необхідні функціональні характеристики. p align="justify"> У відмінності від інших способів отримання покриттів (гальванічний, лакофарбовий і ін) даний метод вигідно відрізняється екологічною чистотою і можливістю отримання широкого спектру покриттів різних як за складом, структурою та властивостями.
Вакуумно іонно-плазмовим метод відноситься до області високих технологій і знаходить саме широке застосування в сучасному виробництві.
На сьогоднішній день на підприємстві працюють дві технологічні лінії, призначені для нанесення покриттів різного функціонального призначення.
1. Аналіз технічного завдання
Для систематизації, закріплення і розширення теоретичних і практичних знань і навичок з предмета Налагодження і експлуатація обладнання для термічних і вакуумно - еліонних процесів введена курсова робота на тему: Обслуговування установки нанесення зміцнюючих покриттівВ« УВНІПА-1-001 В». Двухпорогового компаратор. У зміст має входити: призначення пристрою і принцип його роботи, порядок підготовки до роботи, екологія, охорона праці, технічна обслуговування, несправності та методи їх усунення, а також розроблений алгоритм атестації вакуумної системи.
Огляд сучасного обладнання магнетронного напилення (ОРАТОРИЯ)
Застосовані на цих установках магнетрони ТОВ "ІОНТЕК З" відрізняють такі основні переваги: ​​
використання мішеней простої геометричної конфігурації замість дорогих збірних і профільованих;
низькотемпературний режим нанесення покриттів;
використання водоохлаждаемого анода для збору електронного струму
Надалі магнетрони РМ1-200 <# "justify"> В даний час, на підставі накопиченого досвіду розробок магнетронних розпилювальних пристроїв для розпилення феромагнітних матеріалів, включаючи хімічно чисте залізо, для установок В«Ораторія-29В» і В«Ораторія-2М В»спроектовано та виготовлено для НУО ІТ (МО, м. Корольов) магнетронне розпилювальний пристрій PM1-212 ' 112/5-02 для розпилення суцільних мішеней з феромагнітних матеріалів: Ni - товщиною 12 мм, Fe і пермаллой (80% Ni/20% Fe) - від 6 мм.
Це свідчить про те, що магнетронне розпорошення вища ступінь технічного рівня і за ним майбутнє.
. Призначен...
