Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Технологічні процеси виготовлення мікросхем

Реферат Технологічні процеси виготовлення мікросхем





= 0,6 +0,7 = 1,3 В


Так як між даною точкою і загальною шиною включено послідовно два pn переходу: база-колектор VT1 і база-емітер VT2. Так як всі два емітера транзистора VT1 перебувають під більш високим потенціалом, ніж база, то обидва емітерний переходу закриті і струм точки А протікає по правій гілці. Тоді те I 1 дорівнює

1 = (EU A )/R 1 = (5-1,3)/10.10 3 = 0,00037 = 0,37 мА


Через вхідні емітерний переходи протікають зворотні струми. Обчислимо ці струми, множачи струм бази VT1 ​​( I 1 ) на інверсний коефіцієнт передачі струму < i align = "justify"> У 1 :

Е1 = I Е2 = I 1 В· В 1 = 0,00037 В· 0,05 = 1,85 В· 10 -5 А = 0,0185 мА


У транзистор VT1 втікають три струму I Е1 , I Е2 і I 1, а витікає через колекторний перехід і потрапляє в базу транзистора VT2 тільки один струм I Б2 . Виходячи з цих міркувань обчислюємо струм бази VT2:

Б2 = I Е1 + I Е2 + I 1 = 0,000407 А = 0,407 мА


Так як транзистор VT2 відкритий, то його напруга колектор-емітер буде 0,1 В Знайдемо струм через резистор R2.

2 = (EU K2 )/R 2 = (5-0,1)/8.10 3 = 0,000612 = 0,612 мА


Припускаємо, що транзистор VT2 знаходиться в режимі насичення, тоді напруга U КЕ2 = U БЕ3 = 0,1 В. Отже, VT3 закрит...


Назад | сторінка 2 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Електричний струм
  • Реферат на тему: Електричний струм
  • Реферат на тему: Електричний струм. Закон Ома
  • Реферат на тему: Електричний струм в газах
  • Реферат на тему: Машини постійного струм