Федеральне агентство з освіти РФ
Пензенський державний університет
Кафедра нано-та мікроелектроніки
Пояснювальна записка
Курсова робота з фізики твердого тіла
на тему: Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників
Виконав
студент групи 05КМ1
Васецький А.М.
Пенза 2008
Зміст
Лист завдань
Реферат
Введення
. Напівпровідники
.1 Класифікація речовин по електропровідності
.2 Власні і домішкові напівпровідники
.2.1 Носії заряду у власних напівпровідниках
.2.2 Носії заряду в домішкових напівпровідниках
.2.3 невироджені і вироджені напівпровідники
.3 Ефективна маса густини станів
.4 Статистика носіїв у власних напівпровідниках
. Визначення електрофізичних властивостей напівпровідників
.1 Визначення ефективної маси густини станів
.2 Статистика електронів у домішкових напівпровідниках донорного типу
.2.1 Область низьких температур
.2.2 Область виснаження домішки
.2.3 Область високих температур (область переходу до власної провідності)
Висновок
Список використаних джерел
Лист завдання
на курсову роботу по фізиці твердого тіла
на тему: Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників.
Варіант № 5.11
Розрахувати температурну залежність концентрації вільних носіїв заряду в напівпровіднику.
Побудувати графік цієї залежності в координатах: ln (n) = f (1 T). Визначити і побудувати графічно залежність енергії рівня Фермі від температури. p align="justify"> Зробити розрахунок температур переходу до власної провідності і виснаження домішки.
Розрахунок і побудова графіків здійснити на ПК. Розрахунок концентрації вільних носіїв заряду та енергії рівня Фермі здійснити в діапазоні температур з інтервалом 10К. p align="justify"> Позначення
E d (a) - енергія іонізації донорного, акцепторного рівня відповідно; m 1n , m 2n ,, т 3n - маси електронів по головних осях еліпсоїдів; m 1p < span align = "justify">, m 2p , m
