pan align="justify"> 3p - маси дірок по головних осях еліпсоїдів; M c (v) - число долин в зоні провідності і валентної відповідно, m 0 = 9,1 10 -31 кг; N d (a) - концентрація донорних, акцепторних атомів відповідно, ДEg - ширина забороненої зони; Т - температура.
Вихідні дані
Напівпровідник донорного типу.
E д = 0,007 еВ; дe g (T) = 0,5 (еВ) - 4,9 В· +10 -5 (еВ/К) В· T (К); N д = 3 В· 10 19 см -3 ;
m 1n = 1,6 В· m 0 ; m 2n = 1,7 В· m 0 ; m 3n = 1,5 В· m 0 ; M C = 4;
m 1p = 1,49 В· m 0 ; m 2p = 1,32 В· m 0 ; m 3p = 1,9 В· m 0 ; M V = 3; T = (20 ... 690) К.
Література
1. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Фізика твердого тіла. Навчальний посібник для вузів. -М.: Вища. шк., 2000. - 384 с. (16 екз.).
2. Єпіфанов Г.І., Мома Ю.А. Фізичні основи конструювання та технології РЕА і ЕВА. - М.: Сов.Радіо, 1979. - 350 с.
Реферат
Курсова робота містить 43 сторінок, включає 11 малюнків, 7 таблиць, додатки і список літератури, що складається з семи найменувань.
Ключові слова: рівень Фермі; ефективна щільність станів; напівпровідники n-типу; енергія іонізації донорного рівня; температура виснаження дом...
