Зміст
Реферат
Введення
. Фізичні процеси в напівпровідниках і їх властивості
.1 Власні напівпровідники
.2 Електронний напівпровідник
.3 дірковим напівпровідник
.4 Енергетичні діаграми напівпровідників
.5 Основні і неосновні носії заряду
.6 Температурна залежність концентрації носіїв заряду
.7 Донорний і акцепторні напівпровідники
.8 Залежність концентрації електронів від енергії рівня Фермі
.9 Положення рівня Фермі і концентрація вільних носіїв заряду у власних напівпровідниках
. Обчислення температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників
.1 Наближений розрахунок залежності концентрації дірок від температури
.1.1 Обчислення середньої температури
.1.2 Обчислення ефективної маси електрона і дірки
.1.3 Обчислення ефективної щільності станів у валентній зоні і зоні провідності
.1.4 Розрахунок температури і
.1.5 Область низьких температур
.1.6 Область середніх температур
.1.7 Область високих температур
.2 Аналітичний розрахунок залежності концентрації вільних носіїв заряду і положення рівня Фермі від температури
.2.1 Знаходження точних значень і
.2.2 Область низьких температур (точні значення)
.2.3 Область середніх температур (точні значення)
.2.4 Область високих температур (точні значення)
Висновок
Список використаних джерел
Додаток А Програма розрахунку
Додаток В Графіки залежностей
Реферат
Пояснювальна записка містить 54 сторінок машинописного тексту, включає 2 додатки, 14 рисунків, список використаних джерел з 10 найменувань.
Ключові слова: власний напівпровідник, напівпровідник акцепторного типу, ефективна маса, співвідношення діючих мас, ефективна щільність станів, рівень Фермі, ширина забороненої зони, носії заряду, концентрація носіїв заряду, акцепторная домішка, енергія іонізації домішки, область виснаження домішки, область власної електропровідності, область власної провідності, область слабкої іонізації, концентрація дірок, точні значення.
Мета роботи: розрахувати температурну залежність концентрації вільних носіїв заряду в напівпровіднику акцепторного типу, а так же побудувати гра...
