Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників

Реферат Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників





фік цієї залежності в координатах: ln n = F (1/T). Визначити і побудувати графічно залежність енергії рівня Фермі від температури, і провести розрахунок температур переходу до власної провідності і виснаження домішки. p align="justify"> Завдання: використовувати дану курсову роботу як основу фундаменту знань про фізику напівпровідників, а так само розвинути свій технічний кругозір для поліпшення своєї професійної придатності.

Актуальність: ретельне вивчення цієї та подібних робіт дозволить акцентувати свою увагу на перспективу кар'єрного росту в даній галузі знань, адже фізика напівпровідників завжди був однією з основ технічних наук. Даний напрямок розвивається з середини минулого століття донині і завжди залишиться актуальним в області розвитку країни як високотехнологічної наддержави. br/>

Введення


Напівпровідниковими називають матеріали, які є за питомої провідності проміжними між провідниковими і діелектричними матеріалами і відмітним властивістю яких є сильна залежність питомої провідності від концентрації та виду домішок чи різних дефектів, а також у більшості випадків від зовнішніх енергетичних впливів ( температури, освітленості і т.п.).

Електропровідність напівпровідників обумовлена ​​рухом електронів та дірок. При введенні домішок в напівпровідник змінюється положення рівня Фермі і концентрація носіїв заряду обох знаків. У залежності від валентності домішкові атоми виявляють властивості донорів (віддають електрони) або акцепторів (приймають електрони). Рівноважні концентрації електронів і дірок пов'язані між собою співвідношенням В«діючих масВ». При досить високих температурах в напівпровіднику домінує власна електропровідність, коли n i = p i .

До напівпровідників відноситься велика кількість речовин з електронною електропровідністю, питомий опір яких при нормальній температурі знаходиться між значеннями питомого опору провідників і діелектриків. Основною особливістю напівпровідників є їх здатність змінювати свої властивості під впливом різних зовнішніх впливів (зміна температури та освітлення, додаток електричного і магнітного полів, зовнішнього тиску і т.д.). На відміну від металів напівпровідники мають в широкому інтервалі температур негативний температурний коефіцієнт питомого опору. Тип електропровідності (електронна або діркова) залежить від роду домішок, які у напівпровіднику. Так, наприклад, додаючи до германію або кремнію миш'як, сурму або будь-який інший елемент V групи, ми створюємо електронну провідність. Навпаки, додавання галію, бору або будь-якого іншого елемента III групи повідомляє германію і кремнію діркову залежність. Надлишок кисню в закису міді Cu 2 O викликає діркову провідність, ...


Назад | сторінка 2 з 20 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровід ...
  • Реферат на тему: Розробка СВЧ блоку пристрою для безконтактного виміру електрофізичних парам ...
  • Реферат на тему: Моделювання сонячних батарей на основі різних напівпровідників
  • Реферат на тему: Фізика напівпровідників зі зниженою розмірністю
  • Реферат на тему: Фізика напівпровідників із зниженою розмірністю