роки EUV - літографія кинулася в область нижчих 22 нм.
Рис.2.5 Літографічні процеси а) lt; сухий gt; варіант, б) іммерсіонній варіант
Відзначімо історічну закономірність у розвитку технології в части значень NA, чіслової апертура ПЗ, и технологічного параметра k1 (рис.2.7). Еволюційній Перехід до EUV - літографії Повертає нас до «старого доброго часів» великих значень k1 и малих значень NA. З техніко-економічної точки зору Впровадження EUV - літографії означає Перехід до технології з більш скроню Економічною ефектівністю [15]. Для ее кількісної ОЦІНКИ за кордоном Прийнято використовуват універсальний Показник cost of ownership (COO), назва которого на українську мову можна Перекласти дослівно як «вартість володіння» (тієї чи Іншої технологією) [17]. Це питання: практичніше не вісвітлювався в українсько науково - технічній літературі и практично Ніколи НЕ обговорювалося публічно.
Рис.2.6 Принцип роботи Платформи TWINSCAN
При цьом відзначімо, что согласно International SEMATECH, Чотири основних чинників: Кількість напівпровідніковіх пластин, оброблений одним фотошаблоном, - коефіцієнт использование фотошаблона (WPM - wafer per mask); ВАРТІСТЬ фотошаблона; ВАРТІСТЬ літографічної установки та ее Продуктивність вносячи Основний внесок у значення сертифіката № COO. У разі! Застосування літографічного обладнання, что характерізується низьких значень WPM, основними внесок у значення сертифіката № COO даватіме ВАРТІСТЬ фотошаблона [18]. У тієї годину як при високих значеннях WPM Основний внесок візначатімуть ВАРТІСТЬ установки и ее Продуктивність. Саме економічна доцільність использование EUV - літографії для велікомасштабного виробництва НВІС підтрімує ее Інтенсивний розвиток. Аджея всім відомі супроводжуючі ее технічні проблеми и фінансові витрати. У жовтні 2009 року пройшов міжнародний сімпозіум по вопросам 193 -нм іммерсіонної літографії та EUV - літографії (2009 International EUVL and 193 nm Immersion Extensions Symposia). Его учасники підкреслілі домінующая роль СОО над іншімі техніко - економічнімі Показники при переході на норму 22 нм. Віділілі умови, необхідні для Впровадження EUV - технології у промислове виробництво.
Наявність бездефектно масок, Які зберігалі свои параметри течение життєвого циклу, и комплекс обладнання для контролю та класіфікації дефектів масок.
довготривалий режим роботи джерела випромінювання з потужністю 100 Вт в проміжному фокусі и енергією порядку 5 МДж на день.
Матеріал резистом Який одночасно винен задовольняті Вимогами по дозволено, чутлівості та розміття краю Лінії (line edge roughness - LER).
Вже помітні Досягнення в розробка EUV - резистом. Напрікінці 2009 року з'явилося ПОВІДОМЛЕННЯ про Успіхи КОРПОРАЦІЇ Toshiba (Японія) у розробці фоторезиста з скроню роздільною здатністю, призначеня для EUV - літографії з технологічною нормою 20 нм [19]. У его основе - Похідні нізькомолекулярної Речовини Трукс (truxene).
Рис.2.7 Еволюція характерних параметрів фотолітографічного процесу
ВИСНОВКИ
літографія сегодня розглядається фахівцямі як одна з найперспектівнішіх в Майбутнього методів виготовлення інтегральніх мікросхем. Ця технологія НЕ має обмежень у плане мініатюрізації, что вігідно відрізняє ее від оптічної літографії, яка вже сьогодні наближається до своих кордонів застосовності.
У разі EUV літографії застосовується метод «відавлювання» Певного рельєфу на підкладці з подалі формуваня необхідніх для Функціонування мікросхеми структур. Цей метод спочатку розроблявся в якості варіанту для подальшої мініатюрізації інтегральніх мікросхем, коли Інші методи собі вічерпають.
При написанні даної курсової роботи проведено огляд Наукової літератури Стосовно проблеми нанолітографії в електроніці.
. У Першому розділі привидів описание методів нанолітографії:
механічна нанолітографія;
атомна нанолітографія;
бліжньопольова нанолітографія;
електронна променева нанолітографія.
. Другий розділ присвячений РОЗГЛЯДУ ультрафіолетової нанолітографії (УФ), або як ее назівають Єкстремальний УФ нанолітогоафія. Пріведені дані розвитку EUV - літографії и очікувані прогнозом (альо Варто зауважіті, як Вже опісувалось вищє НЕ нужно надіятіся на запропоновані прогнозами, Аджея почався активний розвиток нанолітографії такими країнамі як США, Японія и країни Європи в складі якіх Працюють и наші співвітчизники).
променево літографія растровий Атомний
Список використаної літератури
<...
