Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Розробка інтегральних мікросхем

Реферат Розробка інтегральних мікросхем





ючого діелектрика буде застосовуватися двоокис кремнію SiO 2.

Необхідно відзначити, що при проектуванні інтегральної мікросхеми виробляють сукупність певних процесів, таких як фотолітографія, легування, очищення та ін При проведенні цих процесів користуються цілком певним набором речовин. При проведенні процесу фотолітографії використовуються фоторезисти, основні види яких представлені в таблиці 2.9. Травлення здійснюється хімічними речовинами, які описані у таблиці 2.8. При виборі матеріалу для проведення шліфування, особливу увагу акцентують на розмір зерен, від якого залежить якість шліфування та можливі пошкодження поверхні напівпровідникового матеріалу в результаті її проведення. Основні типи порошків приведені в таблиці 2.7


Таблиця 2.7 - Характеристика абразивних і алмазних порошків

[9, стр.321]

Група

Номер зернистості

Розмір зерен основної фракції, мкм

За ГОСТ 3647-71

За ГОСТ 9206-70

Абразивні шліфпорошкі







Абразивні мікропорошки






Абразивні тонкі мікропорошки


Алмазні мікропорошки


12

10

8

6

5

4

3


М63

М50

М40

М28

М20

М14


М10

М7

М5


-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-


-

-

-

-

-

-


-

-

-


60/40

40/28

28/20

20/14

14/10

160 ... 125

125 ... 100

100 ... 80

80 ... 63

63 ... 50

50 ... 40

40 ... 28


63 ... 50

50 ... 40

40 ... 28

28 ... 20

20 ... 14

14 ... 10


10 ... 7

7 ... 5

5 ... 3


60 ... 40

40 ... 28

28 ... 20

20 ... 14

14 ... 10


1

-

-

-

-

-

10/7

7/5

5/3

3/2

2/1

1/0

10 ... 7

7 ... 5

5 ... 3

3 ... 2

2 ... 1

1 і менше


Таблиця 2.8 - Основні кислотні травители для кремнію

[9, стор 78]

Тип травителя

Об'ємний склад

Застосування

Час травлення

СР-8



СР-4А






травителях Уайта




травителях Дешан

HNO3: HF = 2:1



HNO3: HF:

: CH2COOH = 5:3:5





HNO3: HF = 3:1




HNO3: HF:

: CH2COOH = 3:1:8

Хімічне полірування


Хімічне полірування і виявлення кордонів pn-переходів


Хімічне полірування площин (111)


Повільне хімічне полірування будь-яких площин

1 ... 2 хв



2 ... 3 хв






15 з




1 ... 16 год


Таблиця 2.9 - Характеристики деяких фоторезистов [9, стор 104]


Марка фоторезиста

Роздільна здатність при товщині шару 1 мкм

Кислотостійкість по щільності дефектів, мм -2 , не більше

Стійкість до проявником, з

Кінематична в'язкість у стані постачання

при 20 В° С

ФП-307

ФП-309

ФП-330

ФП-333

ФП-334

ФП-383

ФП-РН-7

ФП-617

ФП-617П

ФП-626

ФН-106

ФН-108

500

400

400

500

400

400

400

500

500

500

200

400


0,35

0,5

0,75

0,2

0,2

0,2

0,2

0,05

...


Назад | сторінка 10 з 27 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Хімічне осадження з газової фази
  • Реферат на тему: Хімічне забруднення навколишнього середовища
  • Реферат на тему: Хімічне дослідження снігового покриву у м Рязані
  • Реферат на тему: Квантово-хімічне дослідження розпаду гідропероксиду тиміну
  • Реферат на тему: Абразивні матеріали. Види верстатів