br/>
9 ... 11 мм
16 ... 20 мм
В± 0,5%
Неплощинність
Прогин в початковому стані
Прогин після термоіспитаній
Шорсткість робочої сторони
Шорсткість неробочої сторони
Механічно порушений шар
Адсорбовані домішки
Атоми, іони
Молекули
76
100
76
100
76
100
76; 100
76; 100
76; 100
76; 100
4 ... 9 мм
5 ... 9 мм
15 ... 30 мм
20 ... 40 мм
50 мкм
60 мкм
Rx ≤ 0.05 мкм
Ra ≤ 0.5 мкм
шліфували-труїть
Повна відсутність
Менше 10 12 ... 10 14 атом/см 2 ; іон/см 2
Менше одного моношару
Відзначимо також, що проведення різних операцій, таких як різання, шліфування вільним абразивом, механічне полірування та ін супроводжується порушенням шару кремнію у поверхні підкладки і вглиб її, що призведе до неправильних результатами подальших процесів. Тому існують деякі стандарти порушення поверхні пластин кремнію, які неприпустимо перевищувати. Нижче представлена ​​таблиця, яка містить оптимальні порушення поверхні підкладки кремнію [9].
Таблиця 2.5 - Глибина порушеного шару пластин кремнію після механічних обробок
Технологічні операції
Умови обробки
Глибина порушеного шару, мкм
Різка алмазним кругом з внутрішньої ріжучої кромкою
Шліфування
Шліфування та полірування
Хіміко - механічне полірування
Зернистість ріжучої кромки АСМ 60/53; n = 4000 об/хв -1 ; подача 1 мм/хв
Вільний абразив - суспензії порошку:
ЕБМ-10
ЕБМ-5
Зв'язаний абразив - коло АСМ 28
Алмазна паста:
АСМ-3
АСМ-1
АСМ-0, 5
Суспезія аеросилу, SiO 2 зерно 0,04 ... 0,3 мкм
Суспензія ZrO 2 0,1 ... 0,2 мкм
Суспензія О±-Аl 2 O 3 0.05 ... 1 мкм
Суспензія цеоліту
20 ... 30
11 ... 15
7 ... 9
14 ... 16
6 ... 9
5 ... 6
1 ... 2
1 ... +1,5
-
-
1 ... 2
Після вибору матеріалу підкладки приступають до вибору матеріалу домішок. Тут найважливішим критерієм є необхідний тип провідності напівпровідникового матеріалу, після легування. Нижче представлена таблиця 2.6, в якій описані всі матеріали, використовувані як домішок. Важливими параметрами домішок є гранична розчинність напівпровідника і температура, при якій роблять процес легування (див. таблицю 2.10).
Таблиця 2.6 - Електричне поведінка найбільш поширених домішок у найважливіших напівпровідниках [9, стор 318]
Напівпровідник
Нейтральні домішки
Донори
Акцептори
Домішки, що створюють глибокі рівні
Кремній
Германій
Арсенід галію
Фосфід галію
H, N, C, Ge, Sn, Pb, Ar
H, N, C, Ge, Sn, Pb, Ar
H, N, B, Al, In, P, Sb
H, N, B, Al, In, As, Sb
P, As, Sb, Li
P, As, Sb, Li
Si, Sn, Te, S, Se
Si, Sn, Te, S, Se
B, Al, Ga, In
B, Al, Ga, In
Zn, Cd, Be, Li
Be, Mg, Zn, Cd, C
Cu, Au, Zn, Mn, Fe, S, Ni
Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Mn, Ni, Fe, S, Se, Te
Cr, Fe, V, Ni, Mg, Au, Ge, Mn, Ag
Cu, O, Ge, Co, Fe, Cr, Mn
Для розробки інтегральної мікросхеми диференціального каскаду скористаємося наступними елементами і їх сполуками: як напівпровідникової пластини будемо використовувати кремній; в якості акцепторної домішки будемо використовувати бор і алюміній; фосфор - як донорно домішка. В якості межелементних сполук будемо використовувати алюміній. В якості ізолю...
