інтеграціяMax інтеграціяМПП ФБNiMiNsiMsiKimiKоптinсвiai, ммlсвi, ммlцi, ММI = 1101014142,4111,82,50,060,090,22 i = 213013232161,8321,82,30,240,350,83 i = 33120246190271,31301,92,30,961,703,96 i = 4499201699047161,04461,91,69,9713,9522,76
Розрахунок трасування здібності
Розрахунок проводиться за методикою, представленою в Навчальному посібнику В«Основи компонування і розрахунку параметрів конструкційВ» Результати розрахунку наведені в таблиці 5.
Табл. 5
Рівень компонування iMax інтеграціяМПП ФБ , Nilсвi, ммNsiMsiсмсмсмсм21/смi = 1141435240,22692490,2471441100,09 i = 223 216 118 863, 04731300,35 i = 3619027631501107,3710731201,70 i = 49904716156611181565,5815661566161964992013,95
Розрахунок трасування здібності і шаровості комутаційних елементів за методом представленому в Навчальному посібнику В«Основи компонування і розрахунку параметрів конструкційВ», результат зведений в таблицю 6
Так як, в силу симетричності параметри одного напрямку провідників (X), повністю збігаються зі значеннями параметрів іншого напряму (Y), то в таблиці наведено параметри тільки для направлення (Х).
Табл. 6
Рівень компонування iМПП ФБ , см , см , трас . , трас. , трас. , трас. , трас. , слоіi = +1100,7249356716358423 - 1i = 2130i = 33120i = +4499200,5156531317833916151541610
Визначимо початкові значення провідників в конструкції кристала за формулами:
ширина W пр = a тр /2,5 ... 3
товщина h пр = W пр /8 ... 9
Приймаємо значення коефіцієнтів 3 і 9 відповідно.
Результати розрахунків зведені в таблицю 7.
Табл. 7
Позначення параметраКрісталл БІСМПП ФБатр, мкм11, 74250Wтр, мкм3, 9183,33 hтр, мкм0, 439,26
Значення параметрів, отримані в результаті розрахунків, можуть уточнюватися в процесі конкретного робочого проектування.
. Вибір і обгрунтування загальної конструкції панелі
Виходячи з поставлених завдань, необхідно розробити багатокристальний модуль на безкорпусних БІС. Раніше ми отримали такі дані як ...
