ustify"> 5%.
R 3: МЛТ - 0.125 - 550 Ом В± 5%.
Вибираємо діод VD1 [7] з умови, що Іпр> Iдел = 2.07 мА.
VD1: КЦ 122 Б
Параметри обраного діода :
Іпр = 3 мА;
Uпр = 21 В.
В
Рис. 4.3, б Схема джерела струму
Вибираємо транзистор VT1 (рис. 4.3, б) за граничними параметрами:
Uке > 2 Е = 26 (В) (4.20)
Ік > Iо = 4.155 (мА) (4.21)
Рк > E Г— Io = = 0.054 (Вт) (4.22)
Вибираємо транзистор VT1 [5]:
Параметри обраного транзистора : КТ361В (npn)
Uкеmax = 40 (В);
Iкmax = 100 (мА);
Pкmax = 150 (мВт);
b = h21е = 20 - статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальним емітером.
Вибираємо струм дільника:
Iдел = (5 Вё 10) Г— IоБ = (5 Вё 10) Г— Iо/b = (мА) (4.23)
і розраховуємо резистори:
(кОм) (4.24)
(кОм) (4.25)
(Ом) 550 (Ом) (4.26)
Вибираємо R 1, R 2, R 3 - МЛТ резистори з ряду Е24 [6]: 1: МЛТ - 0.125 - 1.1 кОм В± 5%.
R 2: МЛТ - 0.125 - 2.4 кОм В± 5%.
R 3: МЛТ - 0.125 - 550 Ом В± 5%.
Вибираємо діод VD1 [7] з умови, що Іпр> Iдел = 2.07 мА.
VD1: КЦ 122 Б
Параметри обраного діода :
Іпр = 3 мА;
Uпр = 21 В.
5. Вибір ОУ для підсилювача потужності, розрахунок елементів ланцюга ООС
В
Рис. 5.1 Підсилювач потужності на основі повторювача - застосована послідовна одинична ООС по напрузі
(5.1)
Операційний підсилювач DA1 (рис. 5.1) з...
