1кОм, розраховуємо R1. В якості R1 вибираємо підлаштування резистори приблизно подвоєного номіналу, щоб мати можливість перекрити похибки розрахунків, викликані невизначеністю враховуються характеристик транзисторів. br/>
(Ом) 4.7 (кОм) (4.16)
Вибираємо R2 - МЛТ резистор з ряду Е24 [6]:
МЛТ - 0.125 - 1 кОм В± 5%.
Вибираємо R1 - підлаштування резистор з ряду Е24 [6]:
СП3 - 16В - 4.7кОм10%
Заміна джерела струму:
Джерела струму Io забезпечують режим стабілізації Uсм і їх величина повинна бути не менше струму (4.8):
Io Ві Iвхm . (4.17)
Схема джерела струму наведена на рис. 4.3 (a, npn б, pnp) Струм Io - це струм колектора VT1, включеного за схемою з фіксованим потенціалом бази (резистори R1-R2), емітерний стабілізацією (R3) і термокомпенсацією (VD1). Потенціал бази UБ для збереження активного режиму транзистора повинен задовольняти умові:
Uб Ві Uнm +0.5 Г— Uсм. (4.18)
Uб Ві 9 +0.5 Г— 2 = 10 (В) (4.19)
В
Рис. 4.3, a Схема джерела струму. br/>
Вибираємо транзистор VT1 (рис. 4.3, а) за граничним параметрами:
Uке > 2 Е = 26 (В) (4.20)
Ік > Iо = 4.155 (мА) (4.21)
Рк > E Г— Io = = 0.054 (Вт) (4.22)
Вибираємо транзистор VT1 [5]:
Параметри обраного транзистора : КТ315В (pnp)
Uкеmax = 40 (В);
Iкmax = 100 (мА);
Pкmax = 150 (мВт);
b = h21е = 20 - статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальним емітером.
Вибираємо струм дільника:
Iдел = (5 Вё 10) Г— IоБ = (5 Вё 10) Г— Iо/b = (мА) (4.23)
і розраховуємо резистори:
(кОм) (4.24)
(кОм) (4.25)
(Ом) 550 (Ом) (4.26)
Вибираємо R 1, R 2, R 3 - МЛТ резистори з ряду Е24 [6]: 1: МЛТ - 0.125 - 1.1 кОм В± 5%.
R 2: МЛТ - 0.125 - 2.4 кОм В±
