140УД17А
В
Рис.23 Інтегратори схема електрична принципова
Вибираємо: R1, R2-C2-29-0.125-10 кОм0, 1%
C1, C4-К73-17-63В-0.2 мкФ
С2, C3-К10-17-25В-0.1мкФ
С5, C6-К10-17-25В-0.1мкФ
DA1, DA2-К140УД17А
В
Рис.24 Функціональний перетворювач схема електрична принципова
Вибираємо: R1, R2-C2-29-0.125-10 кОм0, 1%
R3-C2-29-0.125-39 кОм0, +1%
R4, R5, R6-C2-29-0.125-5 кОм0, 1%
C1-C10-К10-17-25В-0.1мкФ
DA1-КМ525ПС3
DA2-К554СА3
DA3 - КР590КН2
DA4, DA5 - К140УД17А
Силова частина ШИП: в якості силових ключів vT4-vT7, застосуємо силові транзистори, з урахуванням перевантажувальної здатності двигуна:, Mosfet IRF3710S, розраховані на U = 100В, I = 57А. Принципова схема силової частини показана на (рис.25). br/>В
Рис.25 Силова частина ШИП схема електрична принципова
Автоматичні вимикачі застосуємо для захисту від короткого замикання, з урахуванням перевантажувальної здатності двигуна, типу АЕ20441054А. Розрахований на струм спрацьовування, I = 30 (А). Ключ скидання енергії зберемо на компараторе К554СА3, транзистори входять до його схему приймемо типу vT1: IRF6310L, vT2: КТ819, vT3: КТ818. Діод vD5 КС156А. В якості випрямних діодів виберемо два силових діодних модуля, в кожному по два діоди, фірми "Semikron SKMD40F з параметрами U = 100 (В), I = 37 (А), зворотна напруга Uобр = 400 (В). Згладжує конденсатор приймаємо з міркувань пульсацій напруги, так як таких конденсаторів немає, то застосовуємо три паралельно з'єднаних, типу К50-77-100В-15000мкФ + 20%. p> Блок живлення застосуємо типу БПС15-1, для живлення мікросхем напругою Індуктивність Lф розраховуємо з міркувань пульсацій в мережі живлячої напруги в межах:, приймаємо типу РУ15325 з параметрами: L = 47 (мГн), Iн = 30 (А), Imax = 250 (А)
Необхідний понижуючий трансформатор 220/36 В, з коефіцієнтом трансформації,, повна потужність трансформатора, приймаємо типу ОСОВ-0.55У5 з параметрами: U1 = 220 (В), U2 = 36 (В), S = 0.55 (КВА), m = 5.9 (кг). p> Необхідно розрахувати площу охолоджувача для силових транзисторів. Для цього складемо схему заміщення транзистора і навколишнього середовища (рис.26). br/>В
Рис.26 Схема заміщення
Площа охолоджувача:
, де
- перегрів поверхні,
,
- температура корпусу транзистора.
де P-втрати в транзисторі.
- температура всередині транзистора, дана в описі на даний транзистор.
- температура з урахуванням спеціального параметра транзистора. br/>
Вибираємо: R1-C2-29-0.125-2 МОм0, 1%
R2-C2-29-0.125-100 Ом0, 1%
R3, R7-C2-29-0.125-39 кОм0, 1%
R4-C2-29-0.125-54 кОм0, 1%
R5-C2-29-0.125-100 Ом0, 1%
R6-C2-29-0.125-51 кОм0, 1%
C1-К50-77-100В-15000мкФ + 20%
...
