они, тім менше Напруга тунельного пробою. Із ЗРОСТАННЯ температурами ширина Зони зменшується а, отже, зменшується Напруга пробою.
При лавинному пробої Температурний коефіцієнт напруги стабілізації позитивний, оскількі з підвіщенням температурами зменшується довжина вільного пробігу носіїв и Напруга пробою збільшується.
Температурний коефіцієнт напруги стабілізації колівається в межах 0,05-0,15%/град. Для зниженя TKU створюють температурно-компенсаційні стабілітроні, в якіх послідовно з р-n-переходом стабілітрона підключають один або декілька р-n-переходів з протилежних за знаком TKU .
Таким Шляхом вдається отріматі стабілітроні з TKU, что НЕ перевіщують 0,001%/град.
7. Максимально допустима розсіювана Потужність стабілітрона Рстmax - це Потужність, при якій забезпечується задана Надійність роботи стабілітрона. Максимально допустима Потужність стабілітронів, что випускають промісловістю, колівається від 250 мВт до 50 Вт.
На малий. 2.14 представлена ​​проста схема стабілізації напруги постійного струм. Така схема здійснює стабілізацію напруги як при зміні вхідної напруги, так и при зміні опору НАВАНТАЖЕННЯ.
Наприклад, ЯКЩО вхідна Напруга зроста, то збільшується и струм стабілітрона, а звідсі зроста струм I 0 и Падіння напруги на обмежувальному опорі R orp . Приріст напруги О”U ВХ и О”I O R orp взаємно компенсуються, а U BX зберігається на заданому Рівні. p> Величину обмежувального резистора можна обчісліті за формулою
В
На малий. 2.15 наведена и пояснена робота схеми стабілізації напруги змінного Струму. br/>В
Мал. 2.15
За годину позитивних напівперіодів вхідної напруги стабілітрон VD1 Відкритий, а стабілітрон VD2 Вихідна Напруга обмежує по амплітуді на Рівні напруги стабілізації. За годину негативних напівперіодів вхідної напруги Вихідна Напруга буде обмеже по амплітуді на Рівні напруги стабілізації стабілітрона VD1. Таким чином, віхідну напругу пріймає вид змінної напруги трапецеїдальної форми, Амплітуда Якої візначається напругою стабілізації вживании стабілітронів и НЕ поклади від амплітуді вхідної напруги. Стабілізацію постійної напруги можна такоже отріматі помощью діода, включеного в прямому напрямі. Кремнієві діоді, прізначені для цієї мети, назівають стабісторамі. Для виготовлення стабісторів застосовують кремній з більшою концентрацією домішок. На відміну від стабілітронів стабісторі мают малу напругу стабілізації (близьким 0,7 В). Для Розширення діапазону напруги стабілізації Використовують послідовне з'єднання в одному корпусі декілька стабісторів. Параметри стабісторів аналогічні стабілітронам, а їх Максимальний струм, Потужність и теплові характеристики ті ж что и у віпрямніх діодів.
Маркування кремнієвіх стабілітронів Складається з чотірьох ЕЛЕМЕНТІВ.
Перший елемент - буква К або цифра 2.
Другий елемент - буква С.
Третій елемент - число, указує призначення и електричної Властивості стабілітрона.
Для стабілітронів малої потужності Р стmах = 0,3 Вт для напруги стабілізації 0,1-9,9 В, 10-99 В і 100-199 ставлять числа відповідно 101 - 199, 210-299 и 300-399, Для стабілітронів середньої потужності (0 Вт <Р ст мах <5 Вт) на ту ж напругу ставлять числа відповідно 401-499, 510-599 и 600-699. Для стабілітронів Великої потужності (Р стmах > 5 Вт) на ту ж напругу ставлять числа відповідно 01-799, 810-899 и 900-999.
Четвертий елемент позначені - буква, что вказує на Різновид стабілітрона.
Контрольні запитання:
1. Що назівається стабілітроном?
2. Основними параметрами стабілітрона?
3. Як графічно позначається стабілітрон на прінціпіальніх електричних схемах?
4. Привести схему стабілізації напруги.
Інструкційна картка № 5 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни В«Основи електроніки та мікропроцесорної техніки В»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.2 Напівпровідникові діоді
Мета: Формування спожи безперервного, самостійного поповнення знань; Розвиток творчих здібностей та актівізації розумової ДІЯЛЬНОСТІ.
ІІ. Студент повинний знаті:
- Способи з'єднання діодів;
- Призначення варікапа
- Основні параметри варікапа.
ІІІ. Студент винен уміті:
- Будуваті схеми з'єднання діодів;
- Використовуват при побудові схем варикапах.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання. p> V. Література: [2, с. 145-148]. p> VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Схеми з'єднання діодів
2. Варикапах. p> VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина. p> VІІІ. Контрол...
