Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Технологія та техніка виготовлення бескорпусной інтегральної мікросхеми

Реферат Технологія та техніка виготовлення бескорпусной інтегральної мікросхеми





6 [контактні площадки: резистор - провідник]

+ 8 [контактні площадки: провідник - провідник]

+ 3 [контактні площадки: для припайки висновків] Qпл=6 · (710? 300) +8 · (500? 500) +3 · (500? 500)=4028000 мкм2=0,04028 см2.

Після проведених розрахунків контактні майданчики, розташовані на підкладці ІМС, зображені на рис. 3.4.1 (масштаб 20:1).


рис. 3.4.1


.4 Визначення загальної площі тонкоплівкових елементів і вибір типорозміру підкладки мікроскладення


Розрахунок загальної площі S?, займаної плівковими елементами, провідниками і контактними майданчиками:

SS=S RI + S CG + S пр + S Qпл,


де S RI, S CG, S пр і S Qпл - загальні площі резисторів, конденсаторів, провідників і контактних майданчиків.

SS=+ + 1,694 + 0,04028=1,974033808 см2

Визначаємо необхідну площу Sп підкладки:


Sп=SS / ks,


Де ks=(0,4 ... 0,6) - обираний коефіцієнт використання підкладки.

Sn=2 * 1,974033808 / 0,4=10см2

З таблиці. 1.3 за даними розрахунків обраний найближчий типорозмір підкладки: № 4 (48? 30 мм, S=14,4 см2).


4. Розробка топології ІМС


Розробка топології включає в себе компоновку елементів ІМС на підкладці і розробку топологічного креслення ІМС у збільшеному масштабі. Вихідними даними для розробки топології є:

) розроблена комутаційна схема з'єднань - перетворена електрична схема ІМС, (представлена ??на рис.2.1);

) розраховані в пп. 3.1 .. 3.4 геометричні розміри тонкоплівкових елементів (резисторів, конденсаторів, провідників і контактних майданчиків);

) розміри підкладки;

) технологічні, електричні (схемотехнічні), експлуатаційні та конструктивні дані, вимоги та обмеження, описані у відповідних розділах.


5.Розробка технології виготовлення мікроскладення


Основні технологічні операції при виробництві гібридних ІМС

При виробництві різних типів гібридних інтегральних мікросхем технологічний процес може містити різні операції.

Основні операції при виробництві гібридних ІМС:

- Отримання підкладки;

- Очищення підкладки від хімічних і фізичних забруднень;

- Нанесення резистивної плівки;

- Нанесення провідної плівки;

- Фотолітографія і травлення;

- Лудить контактних майданчиків;

- Контроль і підгонка резисторів;

- Установка і розпаювання компонентів;

- Установка плати в корпус і розпаювання висновків;

- Герметизація;

- Вихідний контроль;

Розглянемо більш детально ці операції.

Отримання підкладки

Конструктивною основою гібридних ІМС є ізоляційна підкладка, яка суттєво впливає на параметри плівкових елементів і на надійність мікросхеми.

Підкладка для плівкової мікросхеми повинна володіти хорошими діелектричними, механічними і температурними властивостями, тобто підкладка повинна мати малий...


Назад | сторінка 10 з 15 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження впливу форми контактних майданчиків на параметри виникаючих кол ...
  • Реферат на тему: Основні технологічні процеси та операції при виробництві хліба
  • Реферат на тему: Технологічний процес виготовлення плати інтегральної мікросхеми-фільтра
  • Реферат на тему: Гібридні мікросхеми. Розрахунок плівкових конденсаторів
  • Реферат на тему: Розрахунок тонкоплівкових елементів (резистора і конденсатора)