меженням b техн, тобто
iпр=max {b розр. , B техн. },
bnp=max {242,}.
Ширина провідника вибирається рівної мкм.
Підставляючи значення bпр, |? Ri | і rsпр, отримуємо:
? iпр? 0,1 * 242 * 0,1 * Ri / 0,04
Для провідників R1:? 1пр? 60,5 · 1850=111925 мкм.
Для провідників R2:? 2пр? 60,5 · 10 100=611 050 мкм.
Для провідників R3:? 3пр? 60,5 · 13 610=823 405 мкм.
Для всіх провідників, достатньо прийняти довжину, рівну? пр=10 000 мкм.
Розрахунок орієнтовної габаритної площі Siпр провідників прямокутної форми проводиться за такою формулою:
Siпр =? iпр · biпр
Загальна габаритна площа SJпр всіх провідників на підкладці ІМС визначається за формулою:
де J - число провідників на підкладці, що з'єднують через контактні площадки елементи, компоненти і окремі контактні площадки.
SJnp=7 · (10 000? 242)=7 * 24200000мкм2=1,694 см2.
Розрахунок геометричних розмірів контактних майданчиків.
В плівкових і гібридних ІМС контактні площадки служать для забезпечення двох типів контактних переходів:
«низькоомних провідна плівка - низькоомних провідна плівка», тобто контакт «провідник - провідник»,
«резистивная плівка - низькоомних провідна плівка».
До першого виду контактів відносяться контакти типу «контактна площадка - обкладка конденсатора», « провідник - контактна площадка - провідник ».
Для першого типу контактів вибір довжини? пли ширини bпл контактних майданчиків здійснюється, виходячи з технологічних обмежень і вимог і вибираються рівними 500? 500 мкм.
Для другого типу контактів величина biпл (i - номер контактного майданчика, з'єднаної з i-м резистором) вибирається з урахуванням технологічних обмежень при суміщенні різних верств, тобто
iпл. =BRi. +2 · 200
Для контактних майданчиків R1: b1пл=bR1 + 2.200=308 +2 · 200=708 мкм.
Для контактних майданчиків R2: b2пл=bR2 + 2.200=245 +2 · 200=645 мкм.
Для контактних майданчиків R3: b3пл=bR3 + 2.200=242 +2 · 200=642 мкм.
Для всіх контактних майданчиків biпл вибирається рівним 710 мкм.
? iпл розраховується, виходячи з умови
Riпл? gRкRi / 2,
де Ri і Riпл - номінали опору i-го резистора і опір i-й контактної площадки відповідно; gRк - похибка перехідного опору області контакту резистор - контактна площадка, яка становить gRк? 2% (див. вихідні дані в табл. 1.1.1).
Використовуючи формулу
iпл=rsпл? iпл / biпл,
де rsпл=rsпр., отримаємо співвідношення для визначення? iпл.:
? iпл.? biпл.gRкRi / (rsпр · 2).
Для контактних майданчиків R1:? 1ПЛ? 710.0, 02.1850 / (0,04 · 2)=328375 мкм.
Для контактних майданчиків R2:? 2ПЛ? 710.0, 02.10100 / (0,04 · 2)=1792750мкм.
Для контактних майданчиків R3:? 3пл? 710.0, 02.13610 / (0,04 · 2)=2415775 мкм.
З урахуванням технологічних обмежень? iплвибірается з умови
? техн. ? ? Iпл. ? Biпл.gRк (Ri / rsпр) · 2
? ? Iпл. ? 328 375
Для всіх контактних майданчиків? пл вибираємо рівною 300 мкм.
Загальна площа SQпл, займана на підкладці контактними майданчиками, розраховується за формулою:
де Q - кількість контактних площадок.Qпл=...
