шару або стінок. На рис. 8 а) і б) показані найпростіші структури стінок між доменами. br/>В
Рис. 8. Структура стінок в одноосних шарах;
а) - стелка Блоха;
б) - стінка Нееля,
в) - стінка Нееля з лініями Блоха і поперечної стінкою.
Залежно від того, як повернутий вектор намагніченості стінки - уздовж або поперек шару, розрізняють стінки Блоха і стінки Нееля. На рис. 8 в) схематично показано стінка Нееля, що містить сегменти з різним напрямком повороту вектора намагніченості. Сегменти стінок розділені між собою попарно виникаючими лініями Блоха і поперечними стінками. Стінки такого типу називаються гребінчастими (cross-tie wall). Вони утворюються переважно в шарах пермаллоя товщиною від 25 до 60 нм. У більш тонких шарах енергетично сприятливою є стінка Нееля, в більш товстих - стінка Блоха. Запропоновано декілька способів отримання стабільних гребенчатих структур стінок, які до того ж піддаються перетворенню в стінки Блоха.
У запам'ятовуючих пристроях на гребенчатих структурах записана інформація представлена ​​наявністю пар поперечних стінок і лінії Блоха. Так само, як і при інших способах магнітного запису із зсувом доменів, стінка повинна зміщуватися в напрямку осі важкого намагнічування під дією неоднорідних полів, що створюються структурою провідників із струмом (рис. 9). Максимальна ширина смужки пермаллоя повинна бути 100-25 мкм. Імпульси струму певної послідовності зрушують пари ліній Блоха і поперечні стінки на один крок. Напруженість поля зсуву приблизно дорівнює полю анізотропії і впливає протягом декількох наносекунд. Перший імпульс поля зрушує лінію Блоха, більш рухливу, ніж поперечна стінка, з звуженою частини смужки пермаллоя (фаза 1 - фаза 2). У фазі 3 лінія Блоха пересувається далі в результаті магнітостатіческого відштовхування від додатково створених пар ліній Блоха і поперечних стінок. Наступний імпульс поля знищує ту пару ліній Блоха, у якої відстань до поперечної стінки менше. В результаті магнітне стан, відповідне фазі 1, виявляється зрушеним на один крок.
В
Рис. 9. Фази зсуву пар поперечних стінок і ліній Блоха. br/>
Були запропоновані й інші способи зсуву структур різного роду і способи збудження полів. Для відтворення інформації можна застосовувати систему (рис. 10), в якій використовується магніторезистивний ефект. Зачорненими плямами показані три електричних контакту на поверхні пермаллоєвих шару. Опір між контактами залежить від кута між напрямками намагніченості і струмів. Якщо цей кут дорівнює 0 В° (права верхня гілка на рис. 10), то опір ділянки кола більше, ніж при куті 90 В° (нижня ліва гілка). Очікується, що при проходженні пари ліній Блоха повз системи контактів перепад Е...
