Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівпровідніків

Реферат Експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівпровідніків





і СУЧАСНИХ експериментальних методів Дослідження поверхні лежить Явище віпускання твердими тіламі вторинних електронів при їх бомбардуванні пучком Первін електронів. Це Явище Було Відкрите в 1902 году Л. Остіном и Г. Штарке, и носити Назву вторинної Електронної емісії (ВЕЕ). Причина цього ЕФЕКТ Полягає в тому, что первінні Електрон, взаємодіючі з Електрон твердого тіла, передаються їм Частину своєї ЕНЕРГІЇ. Если ця енергія Достатньо для Подолання Електрон твердого тіла Поверхнево потенційного бар'єру, то смороду покідають его и реєструються як вторинні Електрон. Вторинні Електрон мают ЕНЕРГІЇ від нуля до ЕНЕРГІЇ Первін електронів. Енергетичний Розподіл вто рінніх електронів має Складний характер и відбіває різноманітні, складні и часто пов'язані между собою Процеси взаємодії Первін електронів з поверхні твердого тіла.

Схематично вид крівої розподілу вторинних електронів по ЕНЕРГІЇ подань на рис. 3. Як показують експериментальні результати, вид спектру вторинних електронів практично НЕ міняється при зміні Первін електронів. При ЕНЕРГІЇ Первін електронів 100 еВ ... 1 кеВ основна частка в спектрі доводитися на повільні Електрон (область а на рис. 3) ці Електрон назівають Істинно вторинно Електрон , оскількі Цю групу складають, в основному, електроних, вібіті з твердого тіла пучком Первін електронів. Передбачається, что смороду вінікають в результаті каскадного процесів ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ Первін Електрон. До Істинно вторинних електронів умовно відносять вторинні Електрон, енергія якіх менше 50 ев.


В 

Рис. 3. Схематично вид крівої розподілу вторинних електронів по ЕНЕРГІЇ

Область b на рис. 3. відносіться до непружно відбітіх електронів, число якіх істотно НЕ змінюється перелогових від ЕНЕРГІЇ.

При ЕНЕРГІЇ, блізькій до ЕНЕРГІЇ Первін електронів E p (область с), спостерігається вузький пік, что відповідає пружньо відбітім Електрон (пік 3 на рис. 3). Цею пік пов'язаний з Електрон, відбітімі від поверхні твердого тіла без ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ або з Дуже малімі ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ.

Окрім двох й достатньо великих по інтенсівності піків Істинно вторинних и пружньо відбітіх електронів, в спектрі вторинних електронів на безструктурному фоні спостерігаються слабо віражені максимум. Положення Деяк з них (максимуми 1 на рис. 3) не залежався від ЕНЕРГІЇ Первін електронів, Другие (максимум 2) зміщуються синхронно Зі зміною ЕНЕРГІЇ Первін електронів. Пікі 1 обумовлені виходом з поверхні оже-електронів . Вивчення цієї групи вторинних електронів лежить в Основі методом Електронної оже-спектроскопії (ЕОС). Група максімумів 2 відпові...


Назад | сторінка 11 з 13 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Рух електрона в однорідних полях. Аналіз енергії електронів методом гальму ...
  • Реферат на тему: Квантовий розмірний ефект для електронів і фононів
  • Реферат на тему: ЕМІСІЯ електронів. Електричний струм в газах
  • Реферат на тему: Руху електронів у вакуумі в електричному і магнітному полях
  • Реферат на тему: Методи структурного аналізу тонких плівок. Метод дифракції електронів низь ...