у поверхнею ї реєструвався повний струм I ( E ) у ланцюзі зразки як функція від ЕНЕРГІЇ падаючіх електронів за умови полного відбору вторинних и відбітіх електронів. Енергія зондувального пучка варіюється в діапазоні 0 Г· 30 еВ. Для Виявлення тонкої структурованих реєструється перша похідна ( S ( E ) = di / de ) від Струму по ЕНЕРГІЇ з використаних фазового детектора ї модуляції ЕНЕРГІЇ первинного пучка (1600 Гц, 0.1 еВ). Електронний пучок Направляється перпендикулярно поверхні ї фокусується до діаметра 0.2 Г· 0.4 мм. Положення первинного Піка в спектрі відповідає рівню вакууму E vac досліджуваної поверхні. У процесі ОБРОБКИ поверхні ВІН может зміщатіся, відбіваючі зміну роботи виходе.
Тонка структура спектрів ПС візначається Енергетичною залежністю коефіцієнта відбіття електронів, Який являє собою суму Коефіцієнтів пружньо ї непружного відбіття. При малих енергіях Первін електронів ( E <20 год 25 еВ) пружньо компонент можна вважаті таким, что переважає. Енергетична залежність коефіцієнта пружньо відбіття тісно зв'язана Зі структурою ЕНЕРГЕТИЧНИХ зон у діапазоні енергій, відповідніх до ЕНЕРГІЇ Первін електронів. Для випадка молекулярних твердих тіл, до якіх відносяться досліджувані Речовини, переважає Механізм Зміни коефіцієнта пружньо відбіття перелогових від щільності НІС Вище уровня вакууму, відповідно до ЕНЕРГІЇ Первін електронів (ровері відбіття в области заборонених зон и Зменшення відбіття, а отже й Збільшення Струму в ланцюзі зразки в области дозволеного станів). Максимум в спектрі ПС ( S ( E ) = di / de ) відповідають Енергетичному положення границі зон НІС, а максимум (- ds / de ) - Енергетичному з Положенням максімумів щільності НІС. Таким чином, похідна від спектра ПС, узята Із протилежних знаком, віявляється більш Придатний для порівняння з теоретично розрахованою ї ПЄВНЄВ іншімі методами щільністю НІС.
8. Вторинна електронна ЕМІСІЯ
У Основі більшост...
