Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Розробка комп'ютерних аналогів схем дослідження біполярних транзисторів

Реферат Розробка комп'ютерних аналогів схем дослідження біполярних транзисторів





властивостей біполярного транзистора в схемі з загальним емітером


З графіка видно, що час розсмоктування зменшується з збільшенням напруги на колекторі, т.к. зменшується товщина бази і в ній накопичується менший заряд.


3. Моделювання характеристик транзистора Дарлінгтона


Складовою транзистор (транзистор Дарлінгтона) - об'єднання двох або більше біполярних транзисторів з метою збільшення коефіцієнта посилення по струму. Такий транзистор використовується в схемах, що працюють з великими струмами (наприклад, в схемах стабілізаторів напруги, вихідних каскадів підсилювачів потужності) і у вхідних каскадах підсилювачів, якщо необхідно забезпечити великий вхідний імпеданс. До появи польових транзисторів цей транзистор використовувався у двох основних призначеннях: як елемент з високим вхідним опором і як елемент з великим коефіцієнтом посилення по струму.


Рис. 43. Схема моделювання вхідних, вихідних і частотних характеристик транзистора Дарлінгтона


3.1 Вхідна характеристика


Параметри моделювання:

. DC LIN I_I1 0 0.5m 0.01m

. STEP V_V1 LIST 10 20 30

. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))

. INC «.. SCHEMATIC1»


Рис. 44. Вхідні характеристики транзистора Дарлінгтона при різних напружених колектора


Як видно з малюнка вхідна напруга складається з двох падінь напруг на емітерний переходах транзистора.


3.2 Вихідна характеристика


Параметри моделювання:

. DC LIN V_V1 0 20 0.01

. STEP I_I1 LIST 0 0.2m 0.25m 0.3m 0.35m 0.4m 0.45m 0.5m

. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))

. INC «.. SCHEMATIC1»


Рис. 45. Вихідні характеристики транзистора Дарлінгтона при різних струмах бази


Як видно з графіка у транзистора Дарлінгтона вихідна ВАХ починається не з нульового значення напруги на відміну від звичайного біполярного транзистора.


3.3 Частотні властивості


Параметри моделювання:

. AC LIN 1000 10 2Meg

. STEP V_V1 LIST 10 20 30

. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))

. INC «.. SCHEMATIC1»


Рис. 46. ??Частотна залежність струму транзистора Дарлінгтона при різних напружених колектора


Із збільшенням напруги на колекторі, частотні властивості транзистора Дарлінгтона практично не змінюються. У теж час помітно істотне погіршення частотних властивостей транзистора Дарлінгтона (через послідовного включення двох транзисторів) порівняно із звичайним біполярним транзистором.

Параметри моделювання:

. AC LIN 1000 10 2Meg

. STEP I_I1 LIST 100u 500u 1000u

. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (...


Назад | сторінка 11 з 23 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Комп'ютерне моделювання та дослідження біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Параметри біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Параметри польового транзистора