tify">. TRAN 0 9u 0 0.001u
. STEP PARAM qwe LIST 500u 1m 2m 5m
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 35. Імпульсні характеристики біполярного транзистора в схемі з загальним емітером
З ростом струму бази зростає кількість інжектованих в базу транзистора неосновних носіїв заряду, що збільшує час їх розсмоктування. Як видно з малюнка в режимі насичення колекторний струм не залежить від струму бази.
Параметри моделювання:
. TRAN 0 9u 0 0.001u
. TEMP - 60 27 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 36. Залежність імпульсних характеристик біполярного транзистора в схемі з загальним емітером від температури
З ростом температури збільшується час життя неосновних носіїв заряду що призводить до збільшення часу розсмоктування накопиченого заряду, тобто до зниження швидкодії транзистора.
2.4.3 Схема з діодом Шотткі
Діод Шоттки - це напівпровідниковий діод, випрямні властивості якого засновані на використанні випрямляючого електричного переходу між металом і напівпровідником.
Рис. 37. Схема моделювання біполярного транзистора з діодом Шотткі
Параметри моделювання:
. TRAN 0 9u 0 0.01u
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 38. Імпульсні властивості біполярного транзистора з діодом Шотткі
Діод Шоттки шунтирует колекторний перехід транзистора, зменшуючи ступінь (глибину) насичення, що збільшує швидкодію імпульсної схеми при її виключенні.
.5 Режимні залежності підсилюючих властивостей транзистора
Рис. 39. Схема моделювання режимних залежностей біполярного транзистора в схемі з загальною базою
Параметри моделювання:
. DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u
. STEP V_V1 LIST 5 10 15
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 40. Залежності альфа і бета біполярного транзистора від струму бази при різних U колектора
2.6 Режимні залежності динамічних властивостей транзистора
Рис. 41. Схема моделювання імпульсних характеристик біполярного транзистора в схемі з загальним емітером
Параметри моделювання:
. TRAN 0 9u 0 0.01u
. STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 42. Режимні залежності імпульсних...
