0,7 ТемператураT 0 C40Коефіцієнт НАВАНТАЖЕННЯ по напрузіk н 0,8 Інтенсівність відмов Пасивная ЕЛЕМЕНТІВ ІС, рік - 1 л п, 10 - 7 10 - 5 Коефіцієнт впліву товщина оксідув0, 5Шіріна стібки металізації, мкмw3-5Площіна електрично різнонавантаженіх ділянок ІС, мм 2 S4Коефіцієнті електричного НАВАНТАЖЕННЯ ділянок ІСQ0, 05
2.2 Розрахунок інтенсівності відмов ІС
Розрахунок інтенсівності відмов ІС передбачає Використання ІНФОРМАЦІЇ про Надійність аналогічніх ЕЛЕМЕНТІВ серійно віпускаєміх ІС, включаючі залежність Показників надійності від впліву пріскорюючіх факторів (температура, електричний режим)І ТЕХНОЛОГІЇ виготовлення.
При розрахунку передбачається, что відмова будь-якого елемента прізведе до відмові ІС, и для розрахунку інтенсівності відмов ІС () вікорістовується загальна модель увазі:
(2.1)
де - коефіцієнт жорсткості випробувань;
- інтенсівність відмов конструктивних ЕЛЕМЕНТІВ;
- інтенсівність відмов ЕЛЕМЕНТІВ кристалу;
- інтенсівність відмов міжелементніх зєднань.
Інтенсівність відмов конструктивних ЕЛЕМЕНТІВ кристала Знайдемо за формулою:
(2.2)
де - коефіцієнт, Який поклади від площі кристала;
- кількість термокомпресійніх зєднань;
- інтенсівність відмов корпусу;
- інтенсівність відмов зєднання кристала з основою корпусу;
- інтенсівність відмов термокомпресійного зєднання.
Отже, підрахуємо згідно з Вище згаданімі Чинник інтенсівність відмов конструктивних ЕЛЕМЕНТІВ кристала
рік - 1.
Розрахунок інтенсівності відмов ЕЛЕМЕНТІВ кристала
На інтенсівність відмов ЕЛЕМЕНТІВ кристала л ек вплівають наступні Чинник:
інтенсівність відмов активних ЕЛЕМЕНТІВ л а і кількість активних ЕЛЕМЕНТІВ Nа;
інтенсівність відмов других ЕЛЕМЕНТІВ в крісталі л n и їх кількість N n;
теплові и електричної режими, что Враховується помощью коефіцієнта режиму б;
Якість підзатворного діелектріка при вікорістовуванні МДП-транзисторів як активних ЕЛЕМЕНТІВ, что Враховується коефіцієнтом в.
Інтенсівність відмов ла візначається ступенів інтеграції ІС, вікорістовуванім активним елементом (МДП-і біполярній транзистор) i особливая технології виготовлення. Інтенсівність відмов лn поклади від виду структур, використаних для Отримання діодів, резісторів, конденсаторів и других ЕЛЕМЕНТІВ.
Оскількі транзистор на ДІКЕД (діелектрічно ізольованій кремній електронно-дірковій) структурах, то значення ла та лn Обираємо Наступний:
л а=0.012 * 10 - 7 (рік - 1);
л n=10 - 12 (рік - 1).
Коефіцієнт режиму б візначаемо за формулою: б=1.25.
Коефіцієнт в покладах від вигляд и товщина вікорістовуваного діелектріка: у=0.5
Отже, підрахуємо згідно з Вище згаданімі Чинник інтенсівність відмов ЕЛЕМЕНТІВ кристала лек:
(2.3)
рік - 1.
Розрахунок інтенсівності відмов міжелементніх з єднань
У ІС у загально випадка можна віділіті ділянки металізації, что знаходяться под різнім ЕЛЕКТРИЧНА и температурним навантаженості. Позначімо число таких різнонавантаженіх ділянок - и їх площі
