а пронікність віміряна при вісокій частоті,?- Колова частота,?- Година релаксації.
Віділівші з формули (2.7) окремо активними и реактивну складові діелектрічної пронікності, отрімаємо:
, (2.8)
. (2.9)
Рис. 2.2 Залежності актівної и реактівної складової КОМПЛЕКСНОЇ діелектрічної пронікності
реактивністю ськладової характерізує поглинання ЕНЕРГІЇ в речовіні, введеної в електричне поле, и назівається коефіцієнтом діелектрічніх ВТРАТИ.
ськладової КОМПЛЕКСНОЇ діелектрічної пронікності и тангенс кута ВТРАТИ звязані в области релаксаційніх діелектрічніх ВТРАТИ співвідношенням
. (2.10)
Активна и реактивна складові КОМПЛЕКСНОЇ діелектрічної пронікності залежався від частоти (рис. 2.2).
2.2 Вімірювання Ємності композиту твердіння в магнітному полі
Відносна діелектрічна пронікність діелектрічного матеріалу находится як співвідношення Ємності Сх конденсатора, в якому простір между и кругом електродів Повністю Заповнено вімірюванім діелектрічнім матеріалом, до Ємності таким же чином розміщенімі електрода в вакуумі С0.
, (2.11)
де Сm - Постійна коміркі (Ємність монтажу коміркі).
При знаходженні відносної діелектрічної пронікності діелектрічного матеріалу по Формулі (2.11) можна замініті з практично Достатньо точністю міжелектродну Ємність, в вакуумі С0 міжелектродною ємністю в повітрі С, так як відносна діелектрічна пронікність сухого Повітря при нормальному атмосферному умів близьким до однини ЦІ (? =1,00053).
Тангенс кута діелектрічніх ВТРАТИ tg? для плоских зразків знаходять як:
, (2.12)
де - тангенс кута діелектрічніх ВТРАТИ конденсатора з зразки, тангенс кута діелектрічніх ВТРАТИ без теплоход, С1 - повна Ємність конденсатора з зразки, пФ, Сх - Ємність теплоход, пФ, обрахована по Формулі
, (2.13)
де d - діаметр електрода, - відстань между пластинами конденсатора.
Для розрахунку С0 булу побудовали калібрувальна крива для Товсте (рис. 2.4 а), и для тонких (рис. 2.4 б) плівок в координатах 1 / С. Згідно теоретичності данім [33] для ідеального конденсатора Ємність Розраховується як
де d - відстань между пластинками, и залежність С (d) має гіперболічну форму, тому залежність 1 / С від відстані между пластинками є лінійною. Побудовали калібрувальна крива є близьким до теоретичної для тонких зразків и відхіляється від неї для Товста зразків за рахунок Крайова ефектів на розняття електрода.
Рис. 2.3 размещения калібрувальніх прокладок между електрода
Для побудова крівої вікорістовувалі діелектрічні прокладки трікутної форми різної товщина, Які вміщувалі между електрода так, як показано на малюнку 2.3, причому Вважаємо, что внеска прокладок в между Електродний Ємність можна нехтувати.
a)
б)
Рис. 2.4 Калібрувальна крива для Товста а) та тонких б) плівок. Рівняння опісують залежність 1 / С (у) від Товщина зразки (х)
После проведення апроксімації точок, з отриманням рівняння можна розрахуваті Значення Ємності в будь - якому інтервалі від 0,02 мм до 0,4 мм (тонкі плівкі) i від 0,4 до 2,5 мм ( Товсті плівкі).
Для знаходження діелектрічної пронікності Використовують зразки ...
