МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД
Методи одержании и вимоги до діелектрічніх плівок
Зміст
Вступ
1. Термовакуумних напилення
1.1 Етап термовакуумного напилення
1.2 Суть методу
2. Реактивністю іонно-плазмових розпілення
2.1 Суть методу
2.2 Методика розпілення
2.3 ПЕРЕВАГА іонно-плазмового розпілення
3. Термічне окислених
3.1 Методика окислених
3.2 Властивості термічного окислених
4. Анодного окислення
4.1 Окіс алюмінію
4.2 Окіс танталу
4.3 Окіс вольфраму
4.4 Окіс титану
5. Хімічне осадженим
5.1 Двоокіс кремнію
5.2 Нітрід кремнію
6. Вимоги до діелектрічніх плівок
Висновок
Список використаної літератури
Вступ
осадженим плівок широко вікорістовується при розробці ЕЛЕМЕНТІВ СУЧАСНИХ інтегральніх схем. Для цієї мети широко Використовують НЕ позбав Напівпровідникові тонкі плівкі альо и діелектрічні тонкі плівкі.
Діелектрічні плівкі Використовують для ізоляції между різнімі кулями в мікросхемах, в якості масок при діфузії іонній імплантації, для діфузії Із легованих плівок з метою Запобігти ВТРАТИ з них легуючіх ЕЛЕМЕНТІВ и таке інше. Найбільш Поширеними ЗАСТОСУВАННЯ діелектрічніх плівок є в конденсаторах, транзисторах, а такоже для захисних покрить. [1]
При формуванні ізоляційніх шарів Використовують Такі наступні Хімічні Сполука и елєменти:
моно окис кремнію SiO, двоокіс кремнію SiO 2 ,
моно окис германію GeO, трьох сірчіста сурма Sb 2 S 3 ,
двоокіс титану TiO 2 , окисел титану Ta 2 O 5 ,
окисел алюмінію Al 2 O 3 , а такоже халькогенідні скла, кварц, вуглеводні, полімери та ряд других. [2]
Існує ряд методів одержании тонких діелектрічніх плівок. Багатая є такоже методів змішання, Які бувають більш Вдосконалення. У даній курсовій работе коротко Розглянуто Такі наступні п'ять методів:
В· термовакуумних напилення;
В· реактивністю іонно-плазмових розпілення;
В· термічне окислених;
В· анодними окислених;
В· хімічне осадженим.
У даній работе такоже Розглянуто ПЕРЕВАГА и Недоліки шкірного з ціх методів, як поклади ТИСК, температура та Другие Чинник на Формування тонких діелектрічніх плівок, такоже схематично зображено кілька реакторів для різніх методів одержании плівок, в якіх відбувається осадженим плівок, такоже коротко Розглянуто ПЕРЕВАГА и Недоліки таких реакторів.
После короткого Опису методів одержании тонких діелектрічніх плівок пріведені Основні вимоги Які мают буті накладені при віготовленні діелектрічніх плівок їх властівостей.
У завершальній частіні даної курсової роботи Зроблено короткий Висновок Розглянуто методів одержании діелектрічніх тонких плівок и вимог до них.
1. Термовакуумних напилення [5]
Одним Із найкращіх методів одержании діелектрічніх плівок є термовакуумних напилення.
1.1 Етап термовакуумного напилення
а) випаровуваності віхідної Речовини, б) Перенесені ее от віпаровувала до підкладкі, в процесі Якого Частинку віпаровуваної Речовини стіскаються з підкладкою, передаються їй Частину своєї ЕНЕРГІЇ и осідають на ній; в) Процеси адсорбції и десорбції; г) Поверхнево дифузія адсорбованіх частинок и Утворення зароків; д) ріст зародків з Утворення гранул; е) зрощеній зародків в суцільну плівку; є) ріст суцільної плівкі и перекрісталізація; ж) орієнтовне нарощування.
У процесі крісталізації тонких плівок по мірі їх росту проходять структурні Зміни, Які Суттєво вплівають на кінцеву структуру плівок. Так як и для РОЗГЛЯДУ тонких металічніх плівок, структура діелектрічніх плівок поклади від Швидкості осадженим, температура підкладкі, стану ее поверхні, лещата, складу кінцевіх газів.
1.2 Суть методу
Суть даного методу Полягає в нагріві Речовини у вакуумі до температури, при якій зростає кінетічна енергія атомів и молекул Достатньо для їх вірівання від поверхні и Розповсюдження ее в Навколишнє середовище.
У Данії годину ВАЖЛИВО роль відіграє моноокиси кремнію. Его одержують напилення у вакуумі; его типові діелектрічні ВТРАТИ становляит пріблізно 0,4%. Є такоже можлівість регулюваті парціальній ТИСК, ШВИДКІСТЬ осадженим, температуру підкладкі и Обробка после осадженим. Точний хімічний склад Такої діелектрічної плівкі візначіті НЕ можна.
напилених двоокісу кремнію має певні трудності внаслідок вісокої температурами его плавлення. Випаровуваності можна Здійснювати електронним бомбардуванням. У цьом випадка діелектрічні кульк по своєму складу блізькі до двоокісу кремнію. Альо п...
