ілення) тракту кола зворотнього звязку має буті таким, щоб змінення віхідної напруги, Яке Забезпечує змінення напруги, що не перевіщувало встановленного для стабілізатора значення.
За умови Зменшення напруги (та відповідно) Потенціал бази транзистора VT відносно его емітера зніжується и сила Колекторная Струму зменшується; тоді зніжується й спад напруги на резісторі и на транзісторі. Тому значенням напруги є почти незміннім.
Таким чином, на підставі формули (19), маємо:
, (26)
де Кр - коефіцієнт підсілення РЕ (для сигналу Керування Uп транзистор VTр ввімкнено за схемою Із спільнім колектором, тому Кр? 1);
Кп - коефіцієнт підсілення ПЕ (для сигналу Керування транзистор VTП ввімкнено за схемою Із спільнім емітером, тому Кп? 50 .... 100).
- коефіцієнт ділення ВЕ. Коефіцієнт стабілізації ТСН за базовою схемою в межах 0,8 ... 0,9
. (27)
Орієнтовно Значення КU складає 30 ... 60.
Зауважімо, что в точці бази VTр «зустрічаються» Дві керувальні напруги: одна через коло зворотнього звязку (від VTП), что Забезпечує коефіцієнт стабілізації за (26), друга - через коло безпосередно параметричного звязку в протіфазі. Если цею валів послабіті - коефіцієнт стабілазації зроста (дів. рис. 19).
вихідний Опір стабілізатора:
, (28)
де Rв - вихідний Опір Випрямляч з фільтром, е р - Опір емітерного переходу Т-схеми заміщення транзистора VTр, б р - обємній Опір бази Т-схеми заміщення, б р - коефіцієнт підсілення регульованості транзистора за Струмило в схемі Із загальною базою .
.2 Модіфікації лінійніх транзисторних стабілізаторів напруги
Транзисторний стабілізатор напруги Із! застосування Складення транзистора
Як віпліває з 1, дерло модіфікацією ЛТСН можна вважаті ТСН Із регулювальна елементом, Виконання на Складення транзісторі (рис.18). Таке решение Забезпечує два позитивних ЕФЕКТ:
- Зменшення дестабілізувального впліву базового Струму регулювальна елемента (крітерій Вибори узгоджувальних транзисторів)
-Збільшення вхідного опору регулювальна елемента, что спріяє ЗРОСТАННЯ коефіцієнта підсілення ПЕ, бо навантажувально Опір підсілювача
Малюнок 18 - транзисторний стабілізатор напруги Із! застосування Складення транзистора
Коефіціент підсілення ПЕ
, (29)
де - вхідній Опір транзистора регулювальна елемента за схемою Із спільнім колектором.
, (30)
де індекс вказує на параметри Складення транзистора.
- вхідній Опір транзистора підсілювального елемента за схемою Із спільнім емітером
; (31)
- Опір вимірювального дільніка
, (32)
де ІД - Сила Струму дільніка,, альо НЕ больше 10 мА.
Формули для розрахунку значень еквівалентніх параметрів Складення транзисторів та резісторів зміщення наведено в розділі 4 (пп. 4.3.2, формули (4.34) ... (4.38)).
Напівпровідникові стабілізатори напруги чутліві до перевантаження за Струмило и напругою на колекторно переходах транзисторів. Підстави для таких перевантажень Різні. Наприклад, за умови короткого замикання на віході ЛТСН, СтрімКо зростають сила Колекторная Струму транзистора VT1 и спад напруги на ньом.
Перевантаження могут прізвесті до пробою Ко...
