го значення струму знижується його середнє значення.
Залежність допустимого струму I TAV від температури навколишнього середовища у відносних одиницях K i=f (T °) представлена ??на малюнок 2.10 в.
Залежність допустимого струму I mV від швидкості охолоджуючого повітря у відносних одиницях K i=f (V) представлена ??на малюнок 2.10 г. При відсутності примусового охолодження повітря продовжує рухатися через конвекції. Ця точка на графіку позначена: Є.О. (природне охолодження).
) I TSM - ударний струм - максимально допустима амплітуда імпульсу
аварійного струму синусоїдальної форми тривалістю 10 мс. Цей струм в 15 ... 30 разів перевищує граничний струм I TAVm . Але оскільки граничний струм - це середнє значення, то амплітудне значення граничного струму перевищується лише в 7 ... 10 разів.
) dt - максимально допустиме значення інтеграла аварійного струму по часу, зазвичай за час напівперіоду промислової частоти. Воно визначає енергію, яка може виділитися в тиристорі без його руйнування.
Параметри силового ланцюга по напрузі:
) U RRM і U DRM - повторюване імпульсна напруга в зворотному і прямому напрямку - максимальна напруга, що кожен період може прикладатися до тиристору (малюнок 2.12)
U RRM=(0,7 ... 0,8) - U BR; U DRM=(0,7 k 0,8) - U BO. (2.7)
Тут U BR - напруга лавинного пробою; U BO - напруга перемикання тиристора. У сучасних тиристорах повторюване імпульсна напруга досягає 10 кВ. Як і у діодів, воно визначає клас тиристора;
) U RSM і U DSM - неповторним імпульсні напруги в зворотному і прямому напрямках, які рідко можуть прикладатися до тиристору (малюнок 2.12);
Малюнок 2.12. Параметри по напрузі на ВАХ тиристора в замкненому (а) і відкритому (б) стані
) U RWM і U DWM - робочі напруга (малюнок 2.12), які слід використовувати в розрахунках (становлять 70% від U RRM або U DRM );
) U TM - імпульсна напруга у відкритому стані при протіканні граничного струму (1.3) В;
) UT (TO) - порогове напруга тиристора, а також його диференціальне прямий опір r Т.
Динамічні параметри тиристора t ВК, tq,, визначені при описі перехідних процесів включення і виключення тиристора (малюнок 2.8 - 2.9).
Параметри ланцюга управління I у. доп, U y. доп, Р у.доп визначені при описі діаграми управління (малюнок 2.7).
3. Дослідження силових напівпровідникових приладів на лабораторному стенді
3.1 Вступ
Лабораторні заняття з курсу «Електронна перетворювальна техніка» дають уявлення про фізичні властивості, параметри та характеристики дискретних напівпровідникових приладів.
Лабораторний стенд має джерела живлення, складальну панель з гніздами і клемами для збирання електричних схем, необхідних для зняття характеристик використовуваного приладу. На робочому місці є комплект проводів з наконечниками, вимірювальними і досліджуваними приладами. На малюнку 3.1 представлений план навчальної лабораторії.
Малюнок 3.1 План навчальної лабораторії
Вхідна напруга блоку живлення 127 В. Вихідна напруга постійна:
У 1 А;
... 15 В 0,5 А - регульований G1;
... 15 В 0,5 А - регульований G2;
... 5 В 3 А - регульований G3.
Регульовані джерела живлення мають захист від короткого замикання. При спрацьовуванні захисту необхідно вимкнути стенд і витримати в такому стані 5 ... 10 сек.
Джерело живлення виконаний у вигляді окремого модульного елемента в корпусі і вмонтований в лабораторний стенд.
Джерело живлення осеспечівает
В; 0,1 А - нерегульований;
В; 5 А - нерегульований;
В; 0,3 А - для живлення вхідних ланцюгів транзисторів, регульований 0 ... 4,5 В;
В; 0,5 А - для живлення вихідних ланцюгів транзисторів, регульований 0 ... 14 В.
3.2 Дослідження силових напівпровідникових діодів
Мета роботи - вивчення властивостей силових напівпровідникових діодів і умов їх роботи при груповому з'єднанні в схемах перетворювачів.
Випрямні діоди є напівпровідникові прилади з одним електронно-дірковим переходом (pn-переходом однією з властивостей pn-переходу є здатність змінювати свій опір залежно від полярності напруги зовнішнього джерела. Причому різниця опорів при прямому і зворотному напрямках струму через pn-перехід може бути настільки велика, що в ряд...
