тягти полів», что підвіщують ефективність РЄ.
теллурід кадмію (CdTe) - ще одна перспективний материал для фотовольтаїкі. У него почти ідеальна ширина забороненої зони и очень висока здатність до поглінання випромінювання. Плівкі CdTe й достатньо дешеві у віготовленні. Крім того, технологічно нескладно отрімуваті різноманітні сплави CdTe c Zn, Hg и іншімі елементами для создания шарів Із завданні властівостямі. Подібно CuInSe2, найкращі елементи на Основі CdTe включаються гетероперехід з CdS в якості віконного кулі. Оксид олова вікорістовується як прозорий контакт и покриття, что просвітлює. Серйозна проблема на шляху! Застосування CdTe - високий Опір кулі р-CdTe, что виробляти до великим внутрішнім Втратили. Альо вон вірішена в pin-структурі з гетеропереходів CdTe/ZnTe. Плівкі CdTe володіють скроню рухлівістю носіїв заряду, а сонячні елементи на їх Основі - скроню значеннями ККД (від 10 до 16%).
Серед Сонячних елементів особливе місце займають батареї, что Використовують Органічні матеріали. Коефіцієнт Корисної дей ¬ ствия Сонячних елементів на Основі діоксиду титану, покрита органічнім барвники, дуже високий - ~ 11%. Основа Сонячних елементів даного типу - шірококутного напівпровіднік, зазвічай TiO2, покрить монослоем органічного барвники. Принцип роботи елемента Заснований на фотовозбужденіі барвники та швидкої ІНЖЕК-ції електрона в зону провідності TiO2. При цьом молекула барвники окіслюється, через елемент идет електричний струм и на платиновому електроді відбувається Відновлення трііодіда до йодиду. Потім йодид проходити через електроліт до фотоелектроду, де відновлює окислень барвник.
Деякі аспекти метрології Сонячних елементів
Базуючісь на аналізі світловій ВАХ и спектральної характеристики напруги холостого ходу РЄ, Сейчас розділ присвячений теоретичного РОЗГЛЯДУ проблеми визначення Деяк параметрів РЄ, что мают великий Вплив на ефективність превращение ЕНЕРГІЇ сонячного випромінювання.
Розрахунок параметрів Сонячних елементів з світловій вольт-амперної характеристики при фіксованіх інтенсівності опромінення и температурі.
Відзначімо, что параметри РЄ й достатньо сильно залежався як від уровня облученности, так и от РОБОЧОЇ температури [3,4]. При цьом Відмінною рісою Деяк Поширеними методик визна ¬ лення параметрів РЄ є ті, что, смороду засновані на вікорістанні ¬ нії декількох ВАХ, отриманий при різніх інтенсівностях опромінення [1-6]. Крім того, іноді при Експериментальна визна ¬ діленні параметрів РЄ Використовують Великі Позитивні и негатівні електричної зміщення, что находится поза РОбочий області РЄ, або розрахунок проводитися в набліженні нескінченного шунтирующего опору; и ті и інше є недоліком зважаючі струмового залежності параметрів РЄ [6]. У зв'язку з чім більш краща методика визначення параметрів фотоперетворювачів з Єдиною ВАХ.
Існують методики [2,1,4,6] визначення параметрів РЄ з Єдиною ВАХ, засновані на інтерполяції Експериментальна точок крівої, что опісується формулою (2.31) або схожого з нею. Однако одні з них не могут вважатіся задовільнімі в силу того, что при розрахунку параметрів РЄ з їх помощью результати могут віходити неоднозначно. Пов'язано це з алгоритмом, в якому вікорістовується более одного підгіннім параметра. Інші НЕ дозволяють розраховуваті всех параметрів екстраполяціонной крівої. Треті НЕ є конвергентні при довільніх значеннях початкових параметрів, вікорістовуваніх при розрахунках
Розглянемо можлівість й достатньо простого визначення параметрів сонячного елемента з результатів вимірювання світловій ВАХ при фіксованіх інтенсівності опромінення и температурі (єдиної світловій ВАХ) [6].
Отже: Рівняння, что опісує ВАХ СЕ, з урахуванням послідовного та паралельного опорів и варьируемого діодного коефіцієнта має вигляд (2.31):
Тут щільність Струму короткого замикання прийнятя рівною щільності фотострум, тобто Jsc ~ J h. Дійсно, моделювання в «MathCAD» дало похібка такого набліження для найбільш типового РЄ порядку 4% за умови опромінення АМ 1 і 6.5% при велічіні фотострум, десятикратно перевіщує значення фотострум даного РЄ в условиях стандарту АМ 1. наочно це тверджень представлено на малюнку 2.19.
Запішемо Рівняння ВАХ СЕ в точках ((7=0, J=J sc) і (U=U oc ./=0). Кож запішемо про діференційоване по напрузі Рівняння ВАХ СЕ в ціх точках. задам варійованіх параметрів A деяке значення. Отрімаємо Наступний систему рівнянь:
Вірішівші Цю систему рівнянь (додаток), отрімуємо следующие вирази для знаходження параметрів РЄ:
де введені Такі Позначення:
При цьом передбачається, что:
