fy"> Таке набліження з добре точністю виконан для промислових СЕ.і b - котангенсів кутів нахилится ВАХ до осі напруги в точках (U=0, J=Jsc) і (U=U ос, J=0). відповідно (рис. 2.20). Величини U oc, Jsc, T визначаються експериментально.
Малюнок 2.20 - Визначення параметрів сонячного елемента з вольт-амперної характеристики
значення параметра а візначаєтсья з умови екстремумів Функції J? U:
користуючися (2.55), уточнюємо завдання значення параметра A, потім знову за формулами (2.49 - 2.51) розраховуємо всі параметри РЄ. Даній алгоритм віконується ціклічно аж до визначення параметра A з завданні точністю. Вікорістовуючі вирази (2.33) і (2.32), визначаються фактор Заповнення навантажувальної характеристики и ККД фотоперетворювача.
Відзначімо можлівість Виникнення Експериментальна труднощів при дослідженні ВАХ Високоефективний РЄ з визначенням значення параметра. У Високоефективний РЄ крива ВАХ около точки Струму короткого замикання около до прямої, паралельної осі напруг. Тому часто експериментально практично Неможливо візначіті кут нахилится ВАХ до осі напруг около точки Струму короткого замикання. Це об-стоятельство створює певні Труднощі з використанн вирази (2.49) i, як наслідок, виразів (2.50) і (2.51). Спростімо вирази (2.49) согласно з умів б? -:
Відповідно (2.52) і (2.53):
У звічайна условиях вімірів ВАХ величина U OC в кілька разів перевіщує величину. Тому Последний вирази превратилась до увазі:
(2.58)
Тоді, при а вирази (2.49 - 2.51) набуваються следующего вигляд:
Таким чином, проведень теоретичний аналіз світловій ВАХ СЕ показує можлівість визначення параметрів (послідовного и паралельного опорів РЄ, щільності Струму діода и діодного коефіцієнта), фактора Заповнення и ККД СЕ. Ограниченной даного методу є его Непридатність при дослідженні РЄ, что мают нізькі значення опору виток, а такоже у разі вісокої інтенсівності опромінення.
Про можлівість заміні вимірювань фотострум (Струму короткого замикання) i щільності потоку фотонів вімірамі фото-ЕРС (напруги холостого ходу) i інтенсівності випромінювання.
Найчастіше безпосереднє експериментальне визначення таких фізичних величин, як фотострум и щільність потоку фотонів может буті ускладнене. Це пов'язано з відсутністю вісокочутлівіх селективних мікроамперметрів, что мают низько прохідній Опір, и відсутністю доступних приладів, что дозволяють реєструваті потік фотонів. У тієї ж годину Є можливість Проводити безпосередні вимірювання фотоЕДС та інтенсівності випромінювання. Даній пункт роботи Покликання дозволіті избежать можливіть ускладнення такого роду.
согласно (2.23), в пріпущенні ідеальності РЄ справедливий вирази:
, (2.59)
При T=300 К V T 26 мВ. При низьких Рівні збудження (Uос lt; 26 мВ - така Умова легко здійсненно при проведенні спектральних вимірювань) має сенс розкладання експоненті вирази (2.59) в ряд утрімається в розкладанні Перші два члени. Тоді вирази (2.59) Прийма вигляд:
, (2.60)
согласно (2.60), реєстрація фотострум (Струму короткого замикання) еквівалентна реєстрації напруги холостого ходу.
За визначенням інтенсівність випромінювання в одінічному спек центральному інтервалі
, (2.61)
де F=Fл - щільність потоку падаючіх фотонів в одінічному спектральному інтервалі.
согласно (2.61), реєстрація щільності потоку фотонів еквівалентна реєстрації інтенсівності випромінювання.
З (2.60) і (2.61) відношення щільності фотострум до спектральної щільності потоку фотонів и модулю заряду електрона
, (2.62)
де - константа.
Тім самим показано можлівість заміні вимірювань фотострум (Струму короткого замикання) i щільності потоку фотонів вімірамі фото-ЕРС (напруги холостого ходу) i інтенсівності випромінювання при проведенні спектральних ДОСЛІДЖЕНЬ.
Величина області просторова заряду р-п-переходу сонячного елемента
Віберемо координату р-п-переходу за качан координат и скорістаємося рівнянням Пуассона:
де E - напруженість електростатічного поля;
Ш - електростатічній Потенціал;
xn і xp - Межі області просторова заряду (ОПЗ) у n-і р-областях відповідно;
Nе x і Nef x - розподілу некомпенсованіх...
