мя процеса карбонізації Поверхня та про єм були не в однаково умів (температура, концентрація прекурсора та ін.), Что привело до Утворення різніх форм Вуглець.
Перед Досліджень Електронної структурованих новоутвореній вуглецевмісній материал вівчався помощью просвічуючого електронного мікроскопа (ПЕМ 125К). На рис. 3.4а представлено мікрофотографію зовнішнього вигляд отриманий композиту. З мікрофотографії видно, что композит Складається Зі зв язаних между собою Сферичність частинок за розміром близьким до 10 нм. На рис. 3.4b показано вигляд сінтезованіх у порах композиту вуглецевмісніх структур. Морфологія нановуглецю закладається ще во время Формування гелю. ТДІ вступає у реакцію з ОН-групами та молекулами води, Які розміщуються на поверхні оксиду алюмінію, як наслідок утворюються хімічно зв язані з поверхнею дісперсійніх частинок уретаном та аріленсечовіні. Во время карбонізації ціх Сполука у матріці AlO утворюється вуглецевмісній композит [14].
В
Малюнок 3.4 - Мікрофотографія зовнішнього вигляд композиту (а) та ПЕМ-зображення сінтезованіх вуглецевмісніх структур (б) [14]
Однією Із статей у якій проводитися Дослідження мікроструктурніх характеристик металевих зразків є стаття О. І.. Рогачової, С. М. Григорова, О. Г. Федорова, О. С. Водоріза, С. І. Ольховської. Тут Розглянуто Приготування, Дослідження структурованих та властівостей тонких плівок PbTe, легованих натрієм. p align="justify"> Кристали телуриду свинцю добро відомі як перспектівні матеріали для Використання у термоелектрічніх Перетворювач ЕНЕРГІЇ, оптоелектроніці та других Галузії науки и техніки. Розвиток нанотехнологій прівертає уваг до розробки методів одержании нізькорозмірніх структур на Основі PbTe та Керування їх властівостямі. Модифікація властівостей напівпровідніків зазвічай здійснюється путем Введення домішок. Однією з основних акцепторном домішок у PbTe є натрій, введення Якого у кристали PbTe дозволяє досягаті високих (до ~ 1020 см -3 ) концентрацій дірок. Вінікає питання про возможности реалізації високих рівнів легування телуриду свинцю натрієм у тонкоплівковому стані [15].
Метою роботи є Дослідження механізму зростання, структуру и кінетічніх властівостей плівок PbTe , вірощеніх методом термічного випаровуваності у вакуумі на підкладках (100) KCl, и порівняння одержаних результатів з результатами для плівок нелегованого PbTe, вірощеніх в аналогічніх умів. p align="justify"> Електронно-мікроскопічне Дослідження показало, что плівкі PbTe, ефективна товщина якіх Складанний 9-11 нм, були неперервно, альо містілі Достатньо велику кількість порожнеч у вігляді огранованіх ПІР и каналів (рис. 3.5 (а)) . Плівкі, товщина больше ~ 70 нм, були практично суцільнімі, хочай даже в плівках з...
