автовшки 140 нм ще можна Було спостерігаті окремі пустоти (рис. 3.5 (б)). Основним типом дефектів були діслокації, перпендікулярні поверхні плівкі (у тонких плівках з Товщина <50 нм) або нахілені відносно поверхні плівкі (при більшіх товщина) [15]. br/>В
Малюнок 3.5 - Електронно-мікроскопічні знімкі плівок PbTe різної товщина [15]:
а - d = 11 нм; б - d = 137 нм
плівкі PbTe, леговані натрієм, на поверхні відколу (001) KСl за температурою підкладкі Тп = 520 В± 10 К мают структуру, характерну для механізму зростання пара-кристал без коалесценції . Принципова відмінність структурованих плівок PbTe, легованих натрієм, від нелегованіх плівок Полягає у тому, что смороду стають суцільнімі раніше (при меншій товщіні). Це проілюстровано електронно-мікроскопічнімі знімкамі, представлених на рис. 3.6. У плівці завтовшки 10 нм
В
Малюнок 3.6 - Електронно-мікроскопічні знімкі плівок PbTe, легованих натрієм, різної товщина [15]: а - d = 10 нм; б - d = 25 нм в - d> 40 нм
(рис. 3.6а) спостерігаються Тільки пори різноманітніх форм и Розмірів, альо практично відсутні протяжні каналізац. У плівці завтовшки 25 нм (рис. 3.6б) Присутні Тільки Дуже дрібні пори розміром ~ 10 нм. На муаровій картіні Обертаном у Верхній частіні знімка на рис. 3.6б, одержаної в результаті накладення плівок PbTe з малим кутом повороту Щодо осі, перпендікулярної площіні плівкі, добро видно (Стрілка А), что при заростанні ПІР утворюються діслокації, перпендікулярні поверхні плівкі. Смороду вінікають в результаті взаємніх зрушень початкових крісталічніх зародковіх частинок на поверхні підкладкі. Плівкі товщина? 40 нм Вже пір не містять [15]. br/>
ВИСНОВКИ
За помощью електронного мікроскопа дослідніком реєструється зображення об'єкта. ЦІМ пояснюється ШИРОКЕ! Застосування методу Електронної мікроскопії в різніх Галузії науки й техніки. p align="justify">. Просвітлююча електронна мікроскопія пріпускає Вивчення тонких зразків за помощью пучка електронів, что проходять крізь них и взаємодіють з ними. Електрон, что пройшли крізь зразок, фокусуються на Пристрої Формування зображення: флюресцентному екрані, фотопластінці або сенсорі ПЗЗ-камери. p align="justify">. Режим діфракції електронів Використовують для Дослідження фазового складу плівковіх зразків. Так нами Було Розглянуто ряд робіт де розглядався Вплив температурної ОБРОБКИ на фазовий склад багатошаровіх плівковіх систем на Основі Ti та Al, електрофізічні Властивості плівок міді в умів хімічної взаємодії з газами залішкової атмосфери ТОЩО. p align="justify">. Світлопольній режим вікорістовується для Дослідження мікроструктурніх характеристик металевих та біметалевіх зразків. Нами Було Розглянуто ряд робіт де розповідається про Властивості, Приготування та мікроструктурній ана...
