LKWRT, WRT, MERAS и ERASE могут буті вибрані наступні режими запису / стирання флеш-пам'яті:
запис байта / слова;
запис блоку;
стирання сегмента;
загальне стирання (стирання всех сегментів ОСНОВНОЇ секції пам'яті);
повне стирання (стирання всієї пам'яті).
Читання або запис флеш-пам «яті во время ее програмування чі стирання Заборонені. Если во время запису або стирання пам »яті нужно Виконання програми, то віконуваній код винен розташовуватіся в ОЗП. Процес Зміни флеш-пам «яті может буті ініційованій як з флеш пам» яті, так и з ОЗП.
5.3 тактова генератор контролера флеш-пам яті
Операції запису и стирання управляються тактова генератором контролера, схема електрична функціональна Якого наведена на малюнку 11. Робоча частота генератора f FTG винна знаходітіся в діапазоні від 257 кГц до 476 кГц.
Малюнок 11 - Схема електрична функціональна тактового генератора контролера флеш-пам'яті
тактова генератор контролера флеш-пам «яті может тактуватіся від будь-якого з тактова сігналів ACLK, SMCLK або MCLK. З Вибраного сигналу при вікорістанні дільніка, коефіцієнт ділення Якого задається бітамі FNx, формується тактовий сигнал контролера f FTG . Если во время запису або стирання частота цього сигналу буде відрізнятіся від зазначеної в спеціфікації, то результат Операції может віявітіся непередбачуванім або ж Робочі Параметри флеш-пам »яті могут війта за Межі, что гарантують надійну роботу. При віявленні несправності тактового генератора во время Операції запису або стирання дана Операція перерівається и встановлюється прапорець FAIL. Результат Операції при цьом буде непередбачуванім.
Во время Виконання Операції запису або стирання Вибране джерело тактового сигналів не можна віключіті, перевівші мікроконтролер MSP430 в режим зниженя енергоспожівання. Це джерело залиша в активному стані до завершення Операції, после чего буде вімкнуте.
5.4 стирання та запис флеш-пам яті
При стіранні біті флеш-пам «яті встановлюються в 1. Стан шкірного окрем біта при програмуванні может буті змінено з 1 на 0, прот для Зміни его стану з 0 на 1 нужно цикл стирання. Найменша елементом флеш-пам »яті, что допускаються незалежне стирання, є сегмент. Передбача три режими стирання, Які задаються бітамі ERASE и MERAS відповідно до табліці 5. Можливі режими запису задаються бітамі WRT та BLKWRT у відповідністю з таблицею 6.
Таблиця 5 - Режими стирання
MERASERASEРежім стірання01Стірання сегменту10Загальне стірання11LOCKA=0 - стирання ОСНОВНОЇ и ІНФОРМАЦІЙНОЇ секцій флеш-пам «яті LOCKA=1 - стирання ОСНОВНОЇ секції флеш-пам» яті
Таблиця 6 - Режими запису
BLKWRTWRTРежім запісу01Запіс байта/слова11Запіс блоку
5.5 Сегмент А
Сегмент ІНФОРМАЦІЙНОЇ секції флеш-пам «яті может буті заблокованості Незалежності від других секцій помощью бі...
