аних Cz-Si проводили 4-зондового методом з погрішністю 2,5%. Вимір годині життя неосновних носіїв заряду проводили на орігінальній установці по віміру кінетікі теплового віпромінювання, конструкції Інституту фізики напівпровідніків ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ). Клас точності приладнав ± 0,1%.
2. Основна частина
Одним Із основних матеріалів, что Використовують в напівпровідніковій промісловості, є кремній, Який має гарні діелектрічні Властивості та відносно недорогий в отріманні. Тому, его Використовують для виробництва мікроконтролерів, процесорів, мікроелектронікі та інше. Однак, Вплив Дії температури во время виготовлення напівпровідніковіх пріладів на структуру та Властивості кремнію вивченості недостатньо. Тому, основним завданням дійсної роботи є Вивчення Особливості структури, Зміни фазового складу и електрофізичних властівостей Cz-Si, легованих B, Al, Cu, Sn, Ge, Zr, Hf после полного цикла нагрів-охолодження.
2.1 Структура и Властивості легованих Cz-Si у віхідному стані
На малюнку 2.1 наведено мікроструктурі як легованих, так и нелегованого Cz-Si. На малюнку 2.1, а представлена ??мікроструктура Cz-Si. Аналіз малюнка показує, что в мікроструктурі Cz-Si спостерігається наявність діслокаційніх областей різної щільності. На малюнку 2.1, б, в представлені мікроструктурі Cz-Si, легованих алюмінієм и міддю. Легування Cz-Si алюмінієм и міддю виробляти до Підвищення щільності діслокацій, орієнтованих по питань комерційної торгівлі крісталографічніх площинах. З АНАЛІЗУ мікроструктурі, представленої на малюнку 2.1, г, д віпліває, что легування Cz-Si бором, Який зніжує Енергію взаємодії атомів кремнію, виробляти до Утворення двійніків и смуг двійнікування, Які є результатом зсувніх перетвореності, что реалізуються в процесі вирощування монокристалів з? ? різнім ступенів завершеності, и прізводять, ймовірно, до Утворення Si РОМБ. Ця метастабільна Модифікація утворюється в результаті незначна зміщень атомів в решітці Si ГЦК алмаз. Легування Cz-Si оловом і германієм (рисунок 2.1, е, є) почти НЕ змінюють Енергію взаємодії атомів кремнію, що не виробляти до суттєвіх змін у мікроструктурі: спостерігаються Тільки ланцюжкі діслокацій, орієнтовані уздовж питань комерційної торгівлі крісталографічніх напрямків; двійнікі и границі двійнікування відсутні.
У мікроструктурі Cz-Si, легованих цірконієм (рисунок 2.1, ж) и гафнієм (рисунок 2.1, з), Які підвіщують Енергію взаємодії атомів кремнію, спостерігається наявність діслокаційніх областей різної щільності. Двійнікі и смуги двійнікування відсутні. На малюнку 2.1, ї представлена?? Мікроструктура Cz-Si, комплексно легованих Mo + B. Кількість двійніків и смуг двійнікування, в порівнянні з мікроструктурою малюнку 2.1, г, д, різко зменшується. Наявність смуг двійнікування такоже свідчіть про реалізацію фазових и структурних перетвореності при вірощуванні кремнію. Легування молібденом, Який підвіщуює Енергію міжатомного зв'язку атомів кремнію, на Відміну Від бору, что поніжуює залишуся, виробляти до Зменшення кількості двійніків, что є наслідком домінуючого впліву молібдену в порівнянні з впливим бору. В областях кристала, что розташовуються между Смуга двійнікування, спостерігаються виходи одиночних діслокацій у вігляді ямок травлення. У тієї ж годину в мікроструктурі Cz-Si, комплексно легованої Sn + B (рисунок 2.1, і, і), спостерігається відс...
