хідно пройти меншу відстань, тому вплив на спектральну характеристику часу життя знижується (малюнки 27, 28). При цьому всі зміни спектральних характеристик відбуваються тільки за рахунок верхнього р-шару. Внесок області просторового заряду і n-області не змінюється.
Малюнок 25? Залежність радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя електронів в р-області (tn=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=1 мкм, S=104 см/с)
Малюнок 26? Залежність радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя електронів в р-області (tn=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=5 мкм, S=104 см/с)
Малюнок 27? Залежність вкладу р-шару в чутливість радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя електронів в р-області (tn=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=1 мкм, S=104 см/с)
Малюнок 28? Залежність вкладу р-шару в чутливість радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя електронів в
р-області (tn=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=5 мкм, S=104 см/с)
.3.3 Оцінка впливу часу життя дірок в i- і n- областях
Вплив часу життя дірок в n-області більш помітно, тому n-область істотно більше p-області. На малюнку 29 показано вплив зміна часу життя дірок в n-області. При цьому зміни відбуваються виключно за рахунок зміни вкладу n-області (малюнок 30).
Малюнок 29? Залежність чутливості радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя дірок в n-області
(tp=1? 10-6? 1? 10-9 c, d=1 мкм)
Малюнок 30? Залежність вкладу n-області в чутливість радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя дірок в n-області (tp=1? 10-6? 1? 10-9 c, d=1 мкм)
Значне збільшення глибини залягання pn переходу призводить до зниження впливу часу життя малюнки 31, 32. По-перше, тому що зменшуються розміри області. По-друге, тому що зменшується відстань, яку необхідно пройти діркам, щоб взяти участь у формуванні радіаційно-стимульованого струму.
Аналогічні залежності отримані для структур з контактами, розташованими з обох сторін. На малюнках 33-36 представлено вплив часу життя в n-області для структур з контактами Ni63 з обох сторін. Всі зміни відбуваються за рахунок зміни вкладу дірок в i- і n-областях.
Малюнок 31? Залежність чутливості від часу життя дірок в n-області (tp=1? 10-6? 1? 10-9 c, d=5 мкм)
Малюнок 32? Залежність вкладу n-області в чутливість джерела живлення від часу життя дірок в n-області (tp=1? 10-6? 1? 10-9 c, d=5 мкм)
Малюнок 33? Залежність чутливості радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя дірок в n-області з контактами Ni63, розташованими з обох боків (tp=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=1 мкм)
Малюнок 34? Залежність вкладу n-області в чутливість радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя дірок в n-області з контактами Ni63, розташованими з обох боків (tp=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=1 мкм)
Малюнок 35? Залежність чутливості радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя дірок в n-області з контактами Ni63, розташованими з обох боків (tp=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=5 мкм)
Малюнок 36? Залежність вкладу n-області в чутливість радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя дірок в n-області з контактами Ni63, розташованими з обох боків (tp=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=5 мкм)
Вплив часу життя визначається також концентрацією легуючої домішки в i-області. Пов'язано це з тим, що при зміні концентрації домішки змінюється ширина області просторового заряду, і, отже, збільшуються розміри квазінейтральних областей. На малюнках 37, 38 представлені залежності спектральних характеристик при зміні часу життя рухливих носіїв заряду у всіх областях структури для концентрацій домішки в слаболегірованних n-області 1014 см - 3 і 1 016 см - 3. Видно, що збільшення концентрації домішки в слаболегірованних області збільшує вплив часу життя на спектральні характеристики.
Малюнок 37? Залежність чутливості радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя електронів і дірок (Nd=1014см - 3, tp=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=1 мкм)
Малюнок 38? Залежність чутливості радіаційно-стимульованого джерела живлення від часу життя електронів і дірок (Nd=1016см - 3, tp=1? 10-5? 1? 10-9 c, d=1 мкм)
4.3.3 Оцінка впливу рівня легування слаболегірованних n-області
З метою оптимізації параметрів структури цікаво розглянути вплив рівня легування різних областей. Тут ми розглянемо вплив рівня легування на спектральну характеристику чутливості без урахування зміни послідовного опору і опору розтікання. Рівень легування областей впливає з двох точок зору - зміна ширини області просторового заряду структури і зміна таких характеристик напівпровідникового матеріал як час життя і рухливість при збільшенні рівня легування.
Оскільки вплив часу життя розглянуто раніше, спочатку розглянемо вплив зміни р...
