івня легування без зміни часу життя і рухливості. Зменшення рівня легування призводить до розширення області просторового заряду в сторону слаболегірованних області. На малюнках 39, 40 представлені зміни розподілу потенціалу, і напруженості електричного поля при зміні концентрації домішки в слаболегірованних області.
Малюнок 39? Розподіл потенціалу в pin ??структурі при зміні рівня легування слаболегірованних області. Концентрація у верхньому р-шарі 1018см - 3
Малюнок 40? Розподіл напруженості електричного поля в робочій області pin структури при зміні рівня легування слаболегірованних області. Концентрація у верхньому р-шарі 1018см - 3
На малюнку 41 показано зміна чутливості структури при зміні рівня легування слаболегірованних області (tn=10-5с).
Малюнок 41? Вплив рівня легування слаболегірованних області
(tn=10-5с) на спектральну чутливість pin структури
При такому досить високому часу життя зміна спектральної чутливості незначне. При цьому при зменшенні рівня легування зростає внесок області просторового заряду (малюнок 42), пов'язаний з розширенням цій галузі. Внесок слаболегірованних n-області навпаки знижується (малюнок 43), при такому високому часу життя це викликано просто зменшенням розмірів n області. Внесок p-області не змінюється. Таким чином, відбувається просто перерозподіл вкладу областей у розподілі чутливості по енергіях.
Малюнок 42? Зміна вкладу області просторового заряду на спектральну чутливість pin структури при зміні рівня легування слаболегірованних області (tр=10-5с)
При значному зниженні часу життя до 10-9 з внесок n-області різко знижується і в чутливості бере участь практично тільки область просторового заряду (малюнок 44).
Зміна вкладу n-області на спектральну чутливість pin структури при зміні рівня легування слаболегірованних області показано на малюнку 45.
Малюнок 43? Зміна вкладу n-області на спектральну чутливість pin структури при зміні рівня легування слаболегірованних області (tр=10-5с)
Малюнок 44? Вплив рівня легування слаболегірованних області
(tр=10-9с) на спектральну чутливість pin структури
Малюнок 45? Зміна вкладу n-області на спектральну чутливість pin структури при зміні рівня легування слаболегірованних області (tр=10-9с)
З аналогічних розрахунків для структури з контактами Ni63, розташованими з обох сторін видно, що значно зростає чутливість з боку області високих енергій електронів, то відбувається за рахунок більш високого перекриття області поглинання від високоенергетичних електронів за рахунок зворотного металізації. Але при цьому і зміни спектра чутливості при зміні рівня легування більш помітні навіть при часу життя tр=10-5с (малюнки 46, 47).
Малюнок 46? Вплив рівня легування слаболегірованних області
(tn=10-5с) на спектральну чутливість pin структури з металізацією Ni63 з обох сторін
Малюнок 47? Зміна вкладу n-області на спектральну чутливість pin структури при зміні рівня легування слаболегірованних області (tр=10-5с) з металізацією Ni63 з обох сторін
При низькому часу життя (tр=10-9с) зміни аналогічні змінам у структурі тільки з лицьового металізацією (малюнок 48). Це пояснюється тим, що електронно-діркові пари, утворені поблизу зворотного контакту металізацією через малого часу життя не приймають участь в сигналі (малюнок 49) і працюють тільки електрони лицьового контакту.
Малюнок 48? Вплив рівня легування слаболегірованних області
(tn=10-9с) на спектральну чутливість pin структури з металізацією Ni63 з обох сторін
На малюнку 50 наведено залежності зміни спектрів чутливості pin структур за умови врахування змін рухливості і часу життя відповідно до [44]. При цьому основні зміни відбуваються за рахунок зміни вкладу слаболегірованних n-області
(малюнок 52).
Малюнок 49? Зміна вкладу n-області на спектральну чутливість pin структури при зміні рівня легування слаболегірованних області (tр=10-5с) з металізацією Ni63 з обох сторін
Малюнок 50? Вплив рівня легування слаболегірованних області на спектральну чутливість pin структури
Малюнок 51? Зміна вкладу слаболегірованних n-області в спектральну чутливість pin структури
Аналогічні результати отримані з розрахунків для структури з металізацією Ni63, представлені на малюнках 56, 57.
Малюнок 52? Вплив рівня легування слаболегірованних області на спектральну чутливість pin структури (металізація Ni63 з обох сторін)
Малюнок 53? Зміна вкладу слаболегірованних n-області в спектральну чутливість pin структури (металізація Ni63с обох сторін)
4.3.4 Оцінка ефективності структури
Розрахунок коефіцієнта корисної дії радіаційно-стимульованого джерела живлення проводили за ...
