–Ў; hк - товщина колекторної області, см, (2 -10) мкм; hб - глибина залягання pn - переходу база - колектор, см, (1 - 3) мкм; ПЃк - питомий об'ємний опір колекторної області Ом * см; (0,1 - 1)
Ширина бази становить:
В (21) p> де = (0,5 - 2,5) мкм
В
мкм
Коефіцієнт перенесення обчислюється за формулою:
В
де - дифузійна довжина бази, = (2 - 50) мкм; - концентрація донорної домішки у емітерного переходу,
= (0,1-1) * 10 18 см; - концентрація донорної домішки в колекторі, см -3 , = (0,05 - 1) * 10 17 ; br/>В
Коефіцієнти, і вираховуються за формулами:
(22)
В
мкм;
В (23)
В В
В (24)
Максимальні напруги переходів (колектор - база, емітер - база, емітер - колектор) розраховуються за формулами:
В
(25)
В
В (26)
В
В
В (27)
В
В
В В В
- концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику.
Інверсний коефіцієнт передачі транзистора ( Bi ) можна визначити за такою формулою:
В
(30)
В
Ємність переходу колектор-база і емітер - база визначимо як:
В
(31)
Ф;
В (32)
Ф;
В
В
Зворотний струм емітера визначається за формулою:
(33)
В
Зворотний струм колектора визначається за формулою: br/>
(34)
А;
В
Таблиця 3.1.4 Розрахункові параметри транзистора КТ502Е
Найменування параметра
Значення
Одиниця вимірювання
- коефіцієнт передачі
1.368E +3
-
- коефіцієнт інжекції емітерного переходу
В
-
- коефіцієнт переносу
0.999
-
-дифузійна довжина акцепторів
5.212E-7
см
- дифузійна довжина донорів
1.158E-7
см
-ширина бази
1.2E-6
см
-інверсний коефіцієнт передачі
53.642
-
-площа емітера
В В
- площа бази
В В
-коефіцієнт
0
В
- зворотний струм емітера
7.073E-12
A
- зворотний струм колектора
1.626E-11
A
В В
-
В В
-
-температурний потенціал
В
-
-ємність переходу колектор-база
3.354E-11
Ф
- ємність переходу емітер-база
1.367E-11
Ф
-максимальна напруга колектор-база
4.527
В
- максимальна напруга емітер-база
2.795E-3
В
- максимальна напруга емітер-колектор
0.817
В
-омічний опір бази
1.556E-3
Ом
- омічний опір колектор
1.958
Ом
3.2 Розрахунок параметрів діодів
Діоди формуються на основі одного з переходів планарно - епітаксіальної структури. Діоди сформовані на основі переходу емітер - база, характеризуються найменшими значеннями зворотного струму за рахунок малої площі і самій вузькій області об'ємного заряду. Для інших структур значення паразитної ємності характеризується часом відновлення зворотного опору, тобто часом перемикання діода з відкритого стану в закрите. Воно найнижчу (близько 10 нс) для переходу емітер - база, за умови, що перехід колектор - база зако...
