1.2E-6
см
-інверсний коефіцієнт передачі
53.642
-
-площа емітера
3E-6
В
- площа бази
2E-5
В
-коефіцієнт
0
В
- зворотний струм емітера
7.073E-12
A
- зворотний струм колектора
1.626E-11
A
В
0.817
-
В
0.937
-
-температурний потенціал
0,026
-
-ємність переходу колектор-база
3.354E-11
Ф
- ємність переходу емітер-база
1.367E-11
Ф
-максимальна напруга колектор-база
4.527
В
- максимальна напруга емітер-база
2.795E-3
В
- максимальна напруга емітер-колектор
0.817
В
-омічний опір бази
1.556E-3
Ом
- омічний опір колектор
1.958
Ом
В
Таблиця 3.1.3 Вихідні параметри транзистора КТ502Е
Найменування параметра
значення
Одиниця виміру
hб-глибина залягання р-n переходу база-колектор
В
см
hе - глибина залягання емітерного р-n переходу
0.8
см
hк-товщина колекторної області
В
см
- концентрація донорної домішки в емітерний області на поверхні
В В
- концентрація донорної домішки в емітерний області у емітерного переходу
В В
- поверхнева концентрація акцепторів в базі
В В
- концентрація донорної домішки в колекторі
В В
- питомий об'ємний опір колекторної області
В В
- питомий поверхневий опір пасивної області бази
В
Г°
- питомий поверхневий опір активної області бази
В
Г°
- дифузійна довжина дірок у емітері
В
см
- коефіцієнт дифузії дірок в емітер
В В
- дифузійна довжина електронів в базі
В
см
- коефіцієнт дифузії електронів в базі
В В
- дифузійна довжина дірок у колекторі
В
см
- коефіцієнт дифузії дірок в колекторі
В В
- концентрація носіїв зарядів у власному напівпровіднику
В В
- відносна діелектрична проникність напівпровідника
В
-
Розрахунок параметрів транзисторів структури pnp практично аналогічний розрахунку транзисторів структури npn. p> Ширина емітера R е = 3О”, площа емітера S е = 300 мкм 2
Довжина емітера:
В ; <В В
мкм
Довжина бази:
(18)
Значення омічних опорів областей транзистора можна оцінити за формулами:
В (19)
В
В
Ом
В (20)
В
Ом
де До до = 0 для конструкції з одним базовим контактом;,-питомий поверхневий опір пасивної та активної областей бази, Ом/в–Ў; (100 - 300) Ом/в–Ў; (1 - 10) кОм/в...
