рочений, за умови, що перехід перехід колектор - база закорочений, так при такій діодним структурі заряд накопичується тільки в базовому шарі. В інших структурах заряд накопичується не тільки в базі, але і в колекторі, тому час відновлення зворотного опору складає 50 ... 100нс.
Діод на основі транзисторної структури із замкнутим переходом база - колектор переважніше використовувати в цифрових ІМС, оскільки він забезпечує найбільшу швидкодію. Діод на основі переходу емітер - база застосовують в цифрових схемах в якості накопичувального діода. Діоди із замкнутим переходом база - емітер, що мають найбільші напруження пробою, можуть бути використані в якості діодів загального призначення [8, стор 27,29].
3.2.1 Розрахунок параметрів діода Д242Б
Ширина емітера R е = 3О”, площа емітера S е = 300 мкм 2
Довжина емітера:
В ; (1)
В В
мкм
Довжина бази:
В (2)
Значення омічних опорів областей транзистора можна оцінити за формулами:
В (3)
Ом
В (4)
Ом
де К до = 0 для конструкції з одним базовим контактом;,-питомий поверхневий опір пасивної та активної областей бази, Ом/в–Ў; (100 - 300) Ом/в–Ў; (1 - 10) кОм/в–Ў; hк - товщина колекторної області, см, (2 -10) мкм; hб - глибина залягання pn - переходу база - колектор, см, (1 - 3) напівтемних; ПЃк - питомий об'ємний опір колекторної області Ом * см; (0,1 - 1)
Ширина бази становить:
В (+5) p> де = (0,5 - 2,5) мкм
мкм
Коефіцієнт перенесення обчислюється за формулою:
В (6)
де - дифузійна довжина бази, = (2 - 50) мкм; - концентрація донорної домішки у емітерного переходу,
= (0,1-1) * 10 18 см; - концентрація донорної домішки в колекторі, см -3 , = (0,05 - 1) * 10 17 ; <В
Коефіцієнти, і вираховуються за формулами:
(7)
В
В (8)
мкм; p>В (9)
Максимальні напруги переходів (колектор - база, емітер - база, емітер - колектор) розраховуються за формулами:
В
(10)
В
В (11)
В
В (12)
В
В В В
- концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику.
Інверсний коефіцієнт передачі транзистора ( Bi ) можна визначити за такою формулою:
В
(13)
В
Ємність переходу колектор-база і емітер - база визначимо як:
В
(14)
Ф;
В (15)
Ф;
В
В
Зворотний струм емітера визначається за формулою:
(16)
А;
Зворотний струм колектора визначається за формулою: p> (17)
А;
3.2.2 Розрахунок параметрів діода Д303
Ширина емітера R е = 3О”, площа емітера S е = 300 мкм 2
Довжина емітера:
В ; (18)
В В
мкм
Довжина бази:
В (19)
Значення омічних опорів областей транзистора можна оцінити за формулами:
В (20)
В
Ом
В (21)
В
Ом
де К до = 0 для конструкції з одним базовим контактом;,-питомий поверхневий опір пасивної та активної областей бази, Ом/в–Ў; (100 - 300) Ом/в–Ў; (1 - 10) кОм/в–Ў; hк - товщина колекторної галузі, см, (2 -10) мкм; hб - глибина залягання pn - переходу база - колектор, см, (1 - 3) мкм; ПЃк - питомий об'ємний опір колекторної області Ом * см; (0,1 - 1)
Ширина бази становить:
В (22) p> де = (0,5 - 2,5) мкм
Wb = 5E-7 мкм
Коефіцієнт перенесення обчислюється за формулою:
В (23)
де - дифузійна довжина бази, = (2 - 50) мкм; - концентрація донорної домішки у емітерного переходу,
= (0,1-1) * 10 18 см; - концентрація донорної домішки в колекторі, см -3 , = (0,05 - 1) * 10 17 ; br/>В
Коефіцієнти, і вираховуються за формулами:
(24)
мкм;
В (25)
В
мкм; p>В (26)
Максимальні напруги переходів (колектор - база, емітер - база, емітер - колектор) розраховуються за формулами:
В
(27)
В
В (28)
В
В (29)
В
В В В
- концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику.
Інверсний коефіцієнт передачі транзистора ( Bi ) можна визначити за такою формулою:
В
(13)
В
Ємність переходу колектор-база і емітер - база визначимо як:
В
(30)
В (31)
Ф;
В
В
Зворотний струм емітера визначається за формулою:
(32)
В
Зворотний струм колектора визначається за формулою: br/>
(33)
А;
3.3 Розрахунок параметрів резисторів
Резистори формують ...
