лазерів з довжиною хвилі В» 3,5 мкм [11].
На основі квантових точок InGaAs-GaAs виготовляють світлодіоди та напівпровідникові лазери поверхневого випромінювання з вертикальним об'ємним резонатором (vertical cavity surface-emitting lasers - VCSEL) [26]. Останні характеризується випромінюванням світла в напрямку перпендикулярно поверхні електродів - звідси і словосполучення "вертикальне випромінювання" в назві. p align="justify"> Порівняно з поперечними випромінювачами у лазерів VCSEL є деякі переваги. Вони набагато простіше у виготовленні. Поперечні випромінювачі необхідно спочатку вирізати з відповідного матеріалу, потім помістити в корпус, і лише після цього їх можна тестувати. У той же час, лазери VCSEL можна тестувати вже тоді, коли вони тільки поміщені на пластину-носій, на якій здійснюється їх складання. Крім того, VCSEL більш ефективні і споживають менше енергії в порівнянні з бічними випромінювачами. Вони виробляють менше тепла, вимагають меншої уваги в питаннях тепловідведення і зазвичай служать довше. Нарешті, подібно іншим типам лазерів, лазери VCSEL допускають високошвидкісну модуляцію, завдяки чому вони дозволяють генерувати сигнали зі швидкістю більше 1 Гбіт/с. p align="justify"> Наявні в даний час лазери VCSEL виготовляються з арсеніду галію (GaAs) і випромінюють світло в хвильовому діапазоні приблизно від 750 до 1000 нм. Довжини хвиль цього діапазону недостатньо великі для того, щоб можна було передавати сигнали по волоконно-оптичним кабелям на великі відстані, тому VCSEL використовують не стільки для далекого зв'язку, скільки в LAN, розгорнутих в межах однієї будівлі, в яких інтенсивний обмін інформацією здійснюється на невеликих відстанях [27].
ВИСНОВОК
У цій роботі було розглянуто метод молекулярно-променевої епітаксії. З усього сказаного вище можна зробити однозначний висновок, що метод молекулярно-променевої епітаксії знаходиться в ряді перспективних технологій вирощування тонких плівок і багатошарових структур. Надвисокий вакуум дозволяє вирощувати дуже якісні бездефектні тонкі плівки. Вакуум виключає забруднення в камері зростання а також збільшує вільний пробіг атомів, що дозволяє значно збільшити якість вирощуваних плівок. Низька температура процесу зменшує дифузію атомів і молекул з прилеглих матеріалів. Конструкція еффузіонних осередків дозволяє використовувати практично будь-які матеріали для випаровування та осадження на підкладку. Так само ці осередки дають можливість різкого переривання та поновлення надходження потоків атомів і молекул вирощуваного матеріалу, що дозволяє створювати різкі межі структур між шарами. Отриманню скоєних епітаксійних структур сприяє і можливість аналізу структури, складу і морфології зростаючих шарів у процесі їх формування методом дифракції відбитих швидких електронів (ДОБЕ) та електронної оже-спектроскопії (ЕОС)...
