лів у сучасних напівпровідникових інтегральних мікросхем досягають мм2, чим більше площа кристала, тим більше багатоелементний ІС можна на ній розмістити. При одній і тій же площі кристала можна збільшити кількість елементів, зменшуючи їх розміри і відстані між ними. p align="justify"> При використанні іншого типу подзатворного діелектрика, інших металів при формуванні контактів з кремнієм, інших ізолюючих шарів можливе отримання більш складних схем з ще меншим розміром елементів.
Список використаних джерел
1. Єжовський Ю.К. Основи тонкопленочного матеріалознавства і технології інтегральних пристроїв: Навчальний посібник/СПбГТІ. - СПб., 2005.-127с.
2. Інтегральні пристрої радіоелектроніки УМК, СЗТУ, СПб 2009
. Малишева І.А. Технологія виробництва інтегральних мікросхем: Підручник для технікумів. - М.: Радіо і зв'язок., 1991. - 344с.
4. < , Гуртів В.А. Твердотільна електроніка: Навчальний посібник. -Петрозаводськ., 2005.-405с. p>. Квітів В.П. Технологія матеріалів та виробів твердотільної електроніки: Методичні вказівки/СПбГТІ. - СПб., 1998.-67с. p>.
. < , Курс лекцій з дисципліни В«Технологія НВІСВ».
