ustify"> 2
Число шарів металізації 1
Обчислення відсотка виходу придатних структур на пластині (Y) проводиться за такою формулою:
,
де D0 - питома щільність дефектів, що припадають на одну фотолітографію, деф/см2; A - активна площа кристала, см2; F - число фотолитографических процесів у повному технологічному циклі виготовлення ІС.
В
Розрахунок загального обсягу випуску придатних виробів проводиться за вихідними даними. Вихід придатних структур на пластині:,
де Aпл - активна площа пластини діаметром 100 мм, A - площа елемента, см2.
В
Річний обсяг виробництва при запуску Z = 300 пластин на добу за умови, що відсоток виходу придатних виробів на складальних операціях W = 95%:
В
Таблиця. Розрахунок порогової напруги МОП транзистора. p align="justify"> N a , см -3 1? 10 16 => 1? 10 22 м -3 W < span align = "justify"> H , мкм1, 5 = 1,5? 10 -6 МT ox , нм40 => 4? 10 -8 МL H , мкм1, 5 = 1,5 ? 10 -6 МL, мкм1, 5 => 1,5? 10 -6 Мu DD , В3W, мкм16 => 1,6? 10 -5 м ? < span align = "justify"> Si , 11,9 ? n 0.15 ? Si02 3.9 ? 0 8.85? 10 -12 Ф/м 2
0,347 В
= 8,6? 10-4 Ф/м
=
В В В
де, - поверхневий потенціал.
В
де, - падіння напруги на шарі оксиду.
В
ВИСНОВОК
У цій роботі розглянута технологія виготовлення плат напівпровідникових інтегральних мікросхем. Напівпровідникова інтегральна мікросхема - це мікросхема, елементи якої виконані в приповерхневому шарі напівпровідникової підкладки. Ці ІС складають основу сучасної мікроелектроніки. Розміри криста...
