базисної , так як підприємство пропонує абсолютно нове обладнання для проведення програм омолодження, що не існували раніше.
Дана стратегія не вимагає істотних змін в технологічному процесі виробництва, додаткового навчання персоналу та придбання нового обладнання. Вона спрямована на залучення невикористовуваних виробничих потужностей за рахунок збільшення обсягу реалізації. p align="justify"> Реалізація даної стратегії дозволить підприємству орієнтуватися при виробництві не тільки на потреби держави, але і на нових споживачів, що може підвищити середню собівартість продукції, але виправдає себе збільшенням обсягу продажів за рахунок появи нової групи споживачів.
2. Програма освоєння нововведення
.1 Побудова дерева інноваційних стратегічних змін
Для реалізації запропонованої інноваційної стратегії на підприємстві В«Світлана-ОптоелектронікаВ» необхідно провести наступні заходи:
В· Розробити модель світлодіодної матриці і корпус для майбутнього косметологічного обладнання. Для досягнення цієї мети будуть залучені співробітники відділу НДДКР підприємства В«Світлана-ОптоелектронікаВ».
В· Необхідно захистити нашу розробку:
перевірити на патентоспроможність
зареєструвати
В· Виділити для виробництва нового продукту окрему технологічну лінію.
В· Безпосередньо призвести пробну партію нового продукту, протестувати її за показниками якості та безпеки.
В· Стимулювати збут за допомогою рекламних заходів.
.2 Оновлення технології виробництва і управління
Як вже було зазначено раніше, впровадження інновації не зажадає істотних змін у технологічному процесі виробництва.
Досить буде виділити під нову продукцію окрему технологічну лінію, що можна буде здійснити протягом 1-2 місяців.
Розглянемо коротко загальну схему технологічного циклу виготовлення світлотехнічних виробів на основі потужних напівпровідникових джерел світла на підприємстві В«Світлана-ОптоелектронікаВ»:
. Епітаксійний зростання світлодіодним структури. p align="justify"> На поверхні підкладки з монокристалу сапфіра вирощують кілька напівпровідникових шарів. Товщина одного шару складає від 100 до 4500 нанометрів. Отриманий напівпровідниковий матеріал має здатність випромінювати світло при пропущенні через нього електричного струму. Ділянка епітаксійного росту ЗАТ В«Світлана-ОптоелектронікаВ» в даний час оснащений двома установками епітаксійного росту: дослідницької...
