вора
.2.1 Передатна характеристика p-канального польового транзистора
Рис. 64. Схема моделювання передавальної характеристики p-канального польового транзистора з pn переходом в якості затвора
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 0 20 0.0001
. STEP V_V2 LIST 10 Травня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 65. Передатна характеристика p-канального польового транзистора з pn переходом в якості затвора при різних напружених на стоці
З ростом напруги збільшується дрейфова швидкість носіїв зарядів у каналі, отже, зростає і струм.
6.2.2 Вихідна характеристика p-канального польового транзистора
Рис. 66. Схема моделювання вихідної характеристики p-канального польового транзистора з pn переходом в якості затвора
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V2 0 10 0.001
. STEP V_V1 LIST 0.5 1 1.5
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 67. Графік вихідної характеристики p-канального польового транзистора з pn переходом в якості затвора при різних напружених на затворі
З ростом зворотної напруги на pn переході затвора збільшується ширина об'ємного заряду pn переходу, отже, знижується перетин проводить каналу, зростає його опір і протікає по каналу струм.
.2.3 Температурна залежність вихідної характеристики p-канального польового транзистора
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V2 0 10 0.001
. TEMP - 60 27 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 68. Температурна залежність вихідної характеристики p-канального польового транзистора з pn переходом в якості затвора при різних напружених на затворі
Зростання температури призводить до зниження рухливості носіїв заряду в каналі і як наслідок до зменшення струму стоку.
7. Моделювання характеристик IGBT транзистора
Біполярні транзистори з ізольованим затвором є типом транзистора, який з'явився порівняно недавно. Його вхідні характеристики подібні до вхідним характеристикам польового транзистора, а вихідні - вихідним характеристикам біполярного.
Рис. 69. IGBT транзистор в розрізі
У літературі цей прилад називають IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). По швидкодії вони значно перевершують біполярні транзистори. Найчастіше IGBT-транзистори використовують в якості потужних ключів, у яких час включення 0,2 - 0,4 мкс, а час виключення 0,2 - 1,5 мкс, комутовані напруги досягають 3,5 кВ, а струми 1200 А.
Рис. 70. Схема для моделювання характеристик IGBT транзистора
...
