Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Підвищення ефективності витрат на якість в кристалічному виробництві транзисторів

Реферат Підвищення ефективності витрат на якість в кристалічному виробництві транзисторів





ення конструктивно-технологічних запасів, з метою запобігання браку в процесі експлуатації виробів і втрати довіри споживача. Відсутність контролю при проведенні випробувань, порушення режимів, часу витримки виробів на стендах термотреніровкі, випробувальних камерах призводить до зміни і невідповідності електропараметрів.

Статистичні дані по кількості дефектних транзисторів 2П301 представлені в таблиці 2.2


Таблиця 2.2 Статистичні дані по кількості дефектних транзисторів 2П301

Загальна сума втрат через дефектовСтатістіческіе дані щодо кількості дефектних транзисторів 2П3012010г.2011г.2012г.530 шт.600 шт.570 шт. 483000 шт. 595000 руб. 523000 руб.

Розглянемо дефектні транзистори 2П301 за 2012р.

Результати реєстрації за дефектами для побудови діаграми Парето представлені в таблиці 2.3.

Кумулятивна крива на діаграмі Парето представлена ??на малюнку 2.2.


Малюнок 2.2 - Кумулятивна крива на діаграмі Парето: 1 - Дефекти дифузії фосфору; 2-Дефекти дифузії бору; 3 - Дефекти надлишкового травлення окисла кремнію і алюмінію; 4 - Дефекти фотолітографії; 5 Дефекти хімічної обробки; 6 Дефекти шліфування; 7 Інші дефекти.


Таблиця 2.3 Результати реєстрації за витратами на якість, які найбільшою мірою впливають на якість готового виробу, для побудови діаграми Парето

ДефектиЧісло дефектовПотері від шлюбу, тис. руб.Потері від шлюбу,% 1 Неякісна дифузія фосфора150120, 522,5632 Неякісна дифузія бора130110, 821,3003 Надмірне травлення окисла кремнію і алюмінія98014, 4414 Погана фотолітографія760, 712, 0935 Недостатня хімічна обробка 650,810,4706 Дефекти шліфованія430, 25,7767 Прочіе1270, 413,357 Сумма66523, 4100

2.3 Аналіз причин і проблем якості і можливостей їх вирішення


Виходячи, з аналізу собівартості при виробництві кристалів транзисторів, структури витрат на якість і проблем при його забезпеченні були визначені дефекти, які проявляються в більшій мірі:

дефекти дифузії фосфору;

дефекти дифузії бору;

дефекти надлишкового травлення окисла кремнію і алюмінію.

Дефекти виникають в результаті ряду причин:

низька якість поставок;

моральний і фізичний знос технологічного обладнання;

невідповідність персоналу займаної посади.

Низька якість поставок. Якість поставок, тобто якість, що надходять на підприємство матеріалів, комплектуючих, напівфабрикатів впливає на кінцевий результат виробництва, отже необхідно ретельно робити оцінку потенційних поставщика; після укладення договорів про постачання в обов'язковому порядку проводити технічну перевірку і випробування, закупленої продукції; також забезпечувати технічну підтримку постачальників, спрямовану на допомогу їм у досягнення бажаної якості. Матеріали, сировина, комплектуючі, їх якісний, кількісний, хімічний склад і характеристики повинні відповідати ГОСТ і підлягати перевірці на вхідному контролі відповідно:

СТО 020.01-2010 СМК. Управління закупівлями. Перелік чорних металів і сплавів, дозволених до застосування;

- СТО 021.01-201...


Назад | сторінка 15 з 28 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Положення про експертів, обробка та дефекти деталей
  • Реферат на тему: Дефекти спілкування
  • Реферат на тему: Дефекти в кристалах
  • Реферат на тему: Дефекти металу
  • Реферат на тему: Дефекти сімейного виховання