у будь-якому з дифузійних шарів транзисторної структури (емітерна і базова області), в епітаксиальні шарі (колекторна область) і за допомогою іонного легування. Вид резистора вибирають, виходячи із заданого номінального значення і точності виготовлення.
Основним конструктивним параметром дифузійного резистора є величина ПЃ s , яка залежить від режиму дифузії. Параметри дифузійного резистора покращують підбором конфігурації і геометричних розмірів.
Розрахуємо проміжні та кінцеві параметри для резисторів, відповідних даному курсового проекту: 4.7кОм, 2.2 кОм, 2.2 кОм, 470 кОм. p> Вихідними даними для розрахунків резисторів являются: R - опір резистора; О”R - допуск, - поверхневий опір легованого шару; P 0 - максимально допустима питома потужність розсіювання; P - середнє значення потужності.
Коефіцієнт форми резистора:
В ; (1)
де R - опір резистора, - поверхневий опір легованого шару;
Повна відносна похибка опору :
В В (2)
де - відносна похибка відтворення ; відносна похибка коефіцієнта форми резистора; температурний коефіцієнт опору; - температурна похибка опору, - робочий діапазон температур, допуск (розкид параметрів). p> Мінімальна ширина резистора, при якій забезпечується задана похибка геометричних розмірів:
( 3 )
де - абсолютна похибка ширини резистивної смужки; - абсолютна похибка довжини резистивної смужки; - коефіцієнт форми резистора.
Мінімальна ширина резистора, що визначається з максимально допустимої області розсіювання:
В (4)
де P0 - максимально допустима потужність розсіювання, P - середнє значення потужності.
За розрахункову ширину резистора приймають значення, яка не менше найбільшого значення однієї з трьох величин: тобто: br/>
В ; (5)
Проміжні значення ширини резистора:
В -, (6)
де О” трав - Похибка, що вноситься за рахунок роз'ятрювання вікон у маскирующем окисле перед дифузією, О”y - похибка, що вноситься за рахунок відходу дифузійного шару під маскує окисел в бічну сторону.
Реальна ширина резистора на кристалі:
-; (7)
Розрахункова довжина резисторів:
В - (8)
де k 1 і k 2 - поправочні коефіцієнти, що враховують опір контактних майданчиків і областей резистора, що залежить від конфігурації контактних областей резистора, N виг - кількість вигинів резистора на кут,
Значення коефіцієнтів і зазвичай дорівнює 2.
Проміжне значення довжини резистора:
(9)
Реальна довжина резистора на кристалі:
В (10)
[8. стор 29-38]
В
Таблиця 3.3.1 Результати розрахунку інтегральних іонно - легованих n-типу резисторів.
В
Параметр
Позначення резисторів
R1
R2
R3
R4
, Ом/Гї
1000
1000
1000
1000
, мкм
5
5
5
5
, кОм
4.7
2.2
470
2.2
В
2 Г— 10 -3
2 Г— 10 -3
2 Г— 10 -3
2 Г— 10 -3
В
2.85
1.6
235.5
1.6
В
4.7
2.2
470
2.2
В
21.744
31.782
2.174
31.782
В
0.01
0.01
0.01
0.01
, мкм
21.744
31.782
2.174
31.782
, мкм
20.504
30.542
46.26
30.542
, мкм
21
31
45
