цій області. br/>
б) Польові транзистори на гетероструктурах
Геометрія польових транзисторів з гетероперехідами схожа з геометрією звичайних ПТ, однак властивості використовуваних матеріалів різко відрізняються. З рис. 4.3, в видно, що в подзатворного області польових транзисторів з гетероструктурами знаходиться сильнолегованого шар AlGaAs, а перенесення електронів здійснюється в прилеглій до цього шару області нелегованого GaAs. Так як при цьому значно знижується інтенсивність розсіяння електронів на домішках, вдається отримати дуже високу рухливість електронів, зокрема при температурі 77 К.
Структури для виготовлення польових транзисторів на гетероструктурах отримують методом молекулярно-променевої епітаксії. Для полегшення створення омічних контактів після вирощування шарів нелегованого GaAs і AlGaAs формують n +-шар. При цьому шар AlGaAs можна використовувати в якості шару, який зупиняє травлення при видаленні n +-шару між областями стоку і витоку. Наявність двох шарів AlGaAs, розділених тонким шаром GaAs, дозволяє на одній і тій же пластині формувати транзистори, що працюють і в збідненим, і в збагаченому режимі. p align="justify"> На початковому етапі розробки польових транзисторів на гетероструктурах передбачалося створення на їх основі нових цифрових ІС. Однак польові транзистори на гетероструктурах виявилися перспективними і для використання в області надвисоких частот. Результати показують, що польові транзистори на гетеропереходах застосовуються і в цифрових ІС, і в ІС НВЧ діапазону. br/>
в) Польові транзистори з вертикальною структурою
Інтерес до створення польових транзисторів з вертикальною структурою визначається тим, що прилади такого типу можуть бути виготовлені з дуже короткою довжиною затворів навіть при досить помірних вимогах до точності процесу літографії. Довжина затвора в таких структурах визначається товщиною металевої плівки, що утворює затвор. p align="justify"> Існують два способи реалізації ПТ з вертикальною структурою. До першого класу таких приладів відносяться транзистори з проникною базою. Про створення такого транзистора вперше було повідомлено в 1989 р.
У структурі приладу в активному шарі були поховані металеві острівці (див. рис. 4.3, г), які аналогічно затвору (або проникною базі) використовуються для управління інтенсивністю потоку електронів між витоком і стоком. Найскладнішим етапом у процесі виробництва таких транзисторів є вирощування плівки GaAs поверх металевих острівців. За допомогою скануючої просвічує електронної мікроскопії вдається спостерігати дефекти, що виникають в перехідному шарі між GaAs і металом. Ці дефекти надають несприятливий вплив на протікання струму між металевими острівцями. p align="justify"> Існує ще один тип польових транзисторів з вертикальною структурою. Структура цих транзисторів (див. рис. 4.3, д) нагадує структуру транзи...
