властівостямі р-п переходів, такий же, як и у напівпровідніковіх діодів. Особливо сильно на роботу транзісторів впліває нагрів и Менш істотно - охолоджування (до - 60 В° С). Дослідження показують, что при нагріві від 20 до 60 В° З параметри площинах транзісторів змінюються таким чином: r до падає пріблізно удвічі, r б - на 15-20%, а r е зростає на 15-20%. Уявлення про Вплив нагріву на h-параметри дають графікі малий. 7.17, а, побудовані для малопотужного площинах транзистора, включеного по схемі Із загальною базою. Окрім Зміни значення основних параметрів транзистора, нагрів віклікає Зсув вихідних характеристик и зміна їх нахилится (малі 7.17, б), что такоже порушує нормальну роботові приладнав.
В
Мал. 7.17. Вплив температури на h-параметри малопотужного площинах транзистора (а) i форму его вихідних характеристик (б)
Особливо істотній Вплив на роботу транзистора при нагріві надає струм I КБО . Набліжене Значення Струму при нагріві можна візначіті з рівності
В
де I КБО t , - величина I КБО при підвіщеній температурі; I кБон - Величина I КБО при нормальній температурі (20 В° С); О” - різніця температур при нагріві транзистора.
Для практичних розрахунків можна Прийняти, что при підвіщенні температура на кожні 10 В° С Струму I КБО зростає пріблізно удвічі.
Нестабільність режиму транзистора, обумовлена ​​Струмило I КБО Дуже істотна, оскількі зворотнього струм колектора в значній мірі впліває на Струмило емітера и колектора, а, отже, на підсілювальні Властивості транзистора.
Найчастіше для роботи при підвіщеніх температурах застосовуються кремнієві транзистори. Гранична робоча температура у ціх пріладів складає 125 ... 150 В° С. З цією ж метою вікорістовується и ряд новіх напівпровідніковіх матеріалів, з якіх особливий Інтерес представляет карбід кремнію. Прилади, віготовлені на карбіді кремнію, зможуть нормально працювати до температур 500 ... 600 В° С.
На частотні Властивості транзісторів більшій Вплив роблять Ємності р-п переходів. Із збільшенням частоти Опір Ємності зменшується и шунтуюча дія ємностей зростає. Тому Т-образна еквівалентна схема транзистора на високих частотах, окрім чисто активних опорів r е , r б и r до , містіть Ємності З е і С до , что шунтують емітерній и Колекторная переходь. Особливо Шкідливий Вплив на роботу транзистора надає Ємність З до оскількі на високих частотах Опір Ємності 1/П‰ 0 З К віявляється однозначно менше, чем Опір r до , и Колекторная Перехід втрачає свои основні Властивості. У даним випадка Вплив Ємності З до аналогічно впліву Ємності, что шунтує р-п Перехід в площинах напівпровідніковому діоді.
ІНШОГО погіршення роботи транзистора на високих частотах є відставання по фазі змінного Струму колектора від змінного Струму емітера. Це обумовлено інерційністю процеса проходження носіїв заряду через базу від емітерного переходу до Колекторная, а такоже інерційністю процесів Накопичення и всмоктування зарядів в базі.
Година прольоту носіїв через базу П„ пр у звичайний транзісторів складає пріблізно 0,1 мкс. Звичайний, це годину Дуже мало, но на частотах порядку одиниць - Десятків мегагерц становится помітнім Деяк зрушення фаз между зміннімі ськладової струмів І е и Ік. Це приводити до Збільшення змінного Струму бази І, як наслідок, до зниженя коефіцієнта Посилення по Струму. p> Це Явище ілюструється векторна діаграмамі, наведені на малий. 7.18. Перша з них відповідає нізькій частоті, на якій ВСІ Струмило практично співпадають по фазі, а коефіцієнт ПЃ має найбільшу величину.
В
Мал. 7.IS. Векторні діаграмі струмів транзистора на різніх частотах фаз ф между цімі Струмило. br/>
Оцінюючі частотні Властивості транзистора, слід враховуваті такоже, что дифузія процес хаотично. Неосновні носії зарядів, інжектовані емітером в базу, пересуваються в ньом різнімі шляхами. Тому носії, бази, что одночасно увійшлі до области, досягають Колекторная переходу в різній годину. Таким чином, закон Зміни Струму колектора может НЕ відповідаті законом Зміни Струму емітера, что приводити до спотворення підсілюваного сигналом.
звітність, відзначіті, что Із збільшенням частоти коефіцієнт ПЃ зменшується однозначно сільніше, чем О±. Коефіцієнт О± зніжується позбав унаслідок впліву Ємності Ск, а на величину ПЃ впліває, окрім цього, ще и зрушення фаз между Ік и ІЕ. Отже, схема Із загальною базою має Кращі частотні Властивості, чім схема Із загально емітером.
Для визначення Коефіцієнтів Посилення потоку на частоті f могут буті вікорістані формули:
В
Для Розширення частотного діапазону транзістор...
