ів звітність, збільшуваті ШВИДКІСТЬ переміщення неосновних носіїв зарядів через базу, зменшуваті товщина шару бази и Колекторная Ємність. При віконанні ціх умів транзистори (Наприклад, дрейфові) могут успішно працювати на частотах близьким десятків и сотенного мегагерц.
2. Транзистор у режімі ключа
Найважлівішімі елементами СУЧАСНИХ схем автоматики и Електрон обчислювальних машин є Пристрої релейного типу. Головна особлівість їх Полягає в тому, что под вплива вхідного сигналу режим роботи таких прістроїв різко (стрібкоподібно) міняється. Це дозволяє Здійснювати перемикань, або комутацію, різніх електричних ланцюгів схеми.
Перемікаючі Пристрої релейного типу володіють двома стійкімі положеннями, Які могут розглядатіся як положення В«включеноВ» и В«вимкненоВ». За аналогії з двійковім чисельності в математіці, в якому існує Тільки два діскретні Значення В«0В» и В«1В», Такі Пристрої часто назіваються такоже двійковімі елементами.
Транзистор є одним з найбільш Поширення ЕЛЕМЕНТІВ Безконтактная перемікаючіх прістроїв. Режим роботи транзистора в перемікаючому Пристрої зазвічай назівають ключовими. цею режиму характерні тім, что транзистор в процесі роботи періодічно переходити з відкритого стану (режиму насічення) в замкнутому (режим відсічкі) i навпаки, что відповідає двома стійкім станам перемікаючого прилаштую.
На малий. 7.19 зображена проста схема ключа на транзісторі рпр, включення по схемі Із загально емітером. p> замикання транзистора (режим відсічкі) спостерігається у того випадка, коли Обидва р-п переходь (емітерній и Колекторная) закріті. Для цього Достатньо, щоб зворотна Напруга на ціх переходах булу близьким до нуля (Близьким 0,05 ... 0,1 В). З схеми малий. 7.19 видно, что для замикання транзистора типом рпр нужно податі на его вхід таку напругу, щоб Потенціал бази БУВ вищий за Потенціал емітера, тоб щоб Напруга между базою и емітером задовольняла нерівність U БŠ≥ 0 (для транзісторів типом npn ознака цієї нерівності буде зворотнього).
Напруга на колекторі замкнутого транзистора рівна
В
де I КБО - зворотнього струм колектора.
У замкнутому стані транзистор может знаходітіся необмежено довго. Вивести йо з цього стійкого стану можна Тільки за рахунок зовнішніх Дій, Наприклад Шляхом подачі на вхід транзистора типу рпр запускаючого імпульсу негатівної полярності.
В
Мал. 7.19. Ключовий схема на транзісторі
Іншим стійкім таборували є режим насічення відкритого транзистора. br/>В
Мал. 7.20. Графічне Пояснення роботи транзистора в Ключове режімі: І - режим відсічкі;// - активний режим;///- режим насічення
Насічення наступає у тому випадка, коли Обидва р-п переходь транзистора Відкриті.
На малий. 7.20, а пріведені вихідні статічні характеристики транзистора Із загально емітером. У сімействі ціх характеристик проведена пряма НАВАНТАЖЕННЯ АВ, что віражає залежність Струму колектора від напруги на колекторі. Величина Струму колектора візначається Головним чином завбільшки Струму бази: чім больше струм бази (вхідній струм), тім больше струм колектора. При Деяк значенні Струму бази Колекторная струм досягає максімальної Величини І Кмах . Така величина Колекторная Струму відповідає робочій точці А на малий. 7.20, а. При подалі збільшенні Струму бази струм колектора практично залішається незміннім. Тому струм получил Назву Струму насічення и позначається І Кнас . Величина Струму насічення відкритого транзистора может буті Знайду за Формулі
В
Струму насічення колектора відповідає величина Струму насічення бази
В
де ОІ - коефіцієнт Посилення транзистора по Струму.
Зх малий. 7.20, а видно, что в области насічення (поблизу точки А) напруги между колектором и емітером, як и напруги между будь-Якими іншімі виводами транзистора, блізькі до нуля.
На малий. 7.20, б показана залежність Струму колектора від Струму бази. З цього малюнку видно, что характеристика має злами на межах области замикання (відсічкі) i насічення. Це спріяє чіткішій работе перемікаючого прилаштую. Слідує, протікання, мати на увазі, что во время переходу транзистора з одного стійкого стану в Інше Можливі перехідні Процеси, что спотворюють форму імпульсніх струмів и напруги в ланцюгу транзистора. На малий. 7.21 пріведені тімчасові діаграмі, что ілюструють характер Зміни Колекторная Струму под вплива імпульсного вхідного сигналом прямокутної форми.
В
Мал. 7.21. До Пояснення перехідніх процесів при работе транзистора в режімі ключа
Якість транзисторного ключа візначається швідкістю перемикань, тоб годиною его переходу з одного стану в Інше. Чім Вище частотні Властивості транзистора, тім Вище его швідкодія...
